Министерство высшего образования РФ.

Уральский государственный университет – УПИ

Кафедра “Технология и средства связи”

Расчетно-графическая работа

Полупроводниковый диод

«КД213А»

Преподаватель: Болтаев А.В.

Студент: Черепанов К.А.

Группа: Р-207

Екатеринбург

2000

Аннотация

В данной работе в табличной форме приводятся паспортные параметры (электрические и предельные эксплуатационные) полупроводникового диода КД213А, семейство вольт-амперных характеристик (ВАХ) при различных температурах, расчетные соотношения R₌, r_~, C; расчитываются TKU_пр, TKI_обр (температурные коэффициенты), r_б (сопротивление базы). Приводится малосигнальная, высокочастотная эквивалентная схема исследуемого диода.

Содержание

Краткая характеристика диода

Диод кремниевый, диффузионный. Предназначен для преобразования переменного напряжения частотой до 100 кГц. Выпускаются в металлопластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип диода и схема соединения электродов приводятся на корпусе. Отрицательный электрод соединен с металлическим основанием корпуса.

Масса диода не более 4 г.

КД213А¹

Рисунок

Паспортные параметры:

Электрические

Постоянное прямое напряжение при Iпр=10А, не более:

Т=+25°С………………………………………………………...………………………………1В

Постоянный обратный ток при, не более:

Т=+25°С………………………………………………………...…………………………0,2мА

Время обратного восстановления при Uобр=20В, и Iпр, и=1А, и Iобр, и=0,1А:

КД213А…………………………………………………………...………………………300нс

Емкость диода, не более:

при Uобр=100 В………………………………………...……………………550 пФ

при Uобр=5 В………………………………………...……………………..1600 пФ

Предельные эксплуатационные

Постоянное (импульсное) обратное напряжение……………………..………200В

Постоянный (средний) прямой ток при RТ(П-С)≤ 1,5°С/Вт ……..…..………10А

Импульсный прямой ток при tи≤ 10мс, Q≥1000………………...…………100А

Импульсный обратный ток при температуре корпуса от 213 до 358 К при tи≤ 20мкс,………………...……………………………………………………………………..10А

Частота без снижения электрических режимов……………………………100кГц

Тепловое сопротивление

переход-среда: ……………………………….………………………………70К/Вт

переход-корпус: ……………………………….……………………………1,5К/Вт

Температура перехода: ……………………………………………………...+140°С

Температура окружающей среды: ……………………………………….-60°С…+85°С

Общая таблица параметров

Предельные значения параметров при Т=25˚С

Tk max (Tпмах) [Тмах]˚С

Значения параметров при Т= 25˚С

R т п-к, ˚С/Вт

_{I пр, ср max}

А

Uобр, и, п мах, В

Uобр мах, В

Iпрг (Iпр, уд)мах, А

fмах, кГц

Uпр (Uпр, ср) [Uпр, и], В

tвос, обр (tвос, обр при Tп мах), мкс

I обр(I обр, ср) [I обр, и, п, при Т п мах], мА

Т˚С

tи(tпр), мс

Iпр (Iпр, ср) [Iпр, и], А

Iпр, и, А

Uпр, и, В

10

85

200

200

100

10

100

140

1

10

0,3

1

20

0,2

1,5

Вольт-амперная характеристика

При комнатной температуре

При повышенной

Расчетные соотношения, таблицы и графики зависимостей для Т=25°С

Зависимость R= от Uпр

Uпр

0,6

0,7

0,8

0,9

1

1,1

R=

0,3

0,2333333

0,16

0,1125

0,090909

0,073333

Зависимость r~ от Uпр

Uпр

0,1

0,2

0,3

0,4

0,5

r~

0,1

0,0666667

0,05

0,044444

0,038462

Зависимость R= от Uобр

Uобр

50

100

150

200

250

300

R=

3571429

6666666,7

8333333

4878049

2777778

1304348

Зависимость r~ от Uобр

Uобр

50

100

150

200

250

r~

50000000

25000000

5555556

2631579

1157407

Зависимость Cдиф от Uпр

Uпр

0,6

0,7

0,8

0,9

1

1,1

Сдиф

0,08

0,12

0,2

0,32

0,44

0,6

Зависимост Сб от Uобр

Определение величины TKUпрям TKIобр

Определение сопротивления базы rб

Приближенное

Точное

Малосигнальная высокочастотная эквивалентная схема

R_обр

r_б

С_б

С_к

Библиографический список

1. Диоды и их зарубежные аналоги: Справочник. В 3-х томах. /Хрулев А.К., Черепанов В.П.- Том 1-М.: ИП РадиоСофт, 1998-640с.

2. Справочник по полупроводниковым диодам/ Бородин Б.А., Дроневич В.М., Егорова Р.В. и др.; под ред. И.Ф. Николаевского.—М.: Связь , 1979.– 432 с., ил.

3. Диоды. справочник/ О.П. Григорьев, В.Я. Замятин, Б.В. Кондратьев, С.Л. Пожидаев.—М.: Радио и связь, 1990.—336 с.: ил.– (Массовая радиобиблиотека. Вып. 1158)

4. Полупроводниковые приборы: Диоды, тиристоры, оптоэлектронные приборы. Справочник / А.В. Баюков, А.Б. Гитцевич, А.А. Зайцев и др.; Под общ. ред. Н.Н. Горюнова.–М.: Энергоиздат, 1982.– 744 с., ил.

5. Лекции по курсу «Физические Основы МикроЭлектронники»/ Черепанов К.А- под ред. Болтаев А.В. 2000.-50л.

Затраты времени на:

1. Информационный поиск-72 часf

2. Расчеты-1час (67 мин.)

3. Оформление- 6 часов (357мин.)

1^ Зарубежный аналог КД213А - 1N1622 производства Sarkez Tarzian, США