Лекции по Физической оптике
я2Московский Физико-Технический Институт я2Факультет Физической и Квантовой Электроники я_я3Л. Н. КУРБАТОВ. я_я3КВАНТОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА. я_я2Москва 1993я2 я_я2Составители| я_я2Осипов Т.Ю. я_я2Федотов В.Н. я_я2Ученов А.В. я_я2Чудинов А.В. я_я2Магулария Е.А. я_я2Борисова И.Г. я_я2Соловьев Д.В. я_я2Терешок И.Б. я_я2Редактировал и подготовил к выпуску я_я2Исаков Д.А.я2 я2- 3 - я_ГЛАВА 1. я_я21.Применяемые обозначения. Некоторые формулы, связывающиея_я2перечисленные величины. я2Электромагнитная теорияя2E - напряженность электрического поля;я2H - напряженность магнитного поля;я2D - электростатическое смещение;я2B - магнитная индукция;я2P = - вектор Пойнтинга,плотность потока мощности;я2V - световой вектор , заменяет вектор E , когда нет необходимостия2учитывать электромагнитную природу света. я2Величины , описывающие волнуя2c - скорость света в вакууме; я2- длина волны в вакууме; я2- частота света; я2- круговая частота;я2k - волновое число (или волновой вектор). я2Связь между этими величинами : я2; я2- фазовая скорость, где n - показатель преломленияя2среды; я2- групповая скорость, где под k понимается kn в средея2с дисперсией. я2Квазичастицы - фотоны. я2- энергия, p - импульс, s - момент импульса - спин.я2Связь волновых и фотонных величин дается формулами : я2Определим оптический диапазон длин волн в широком смысле,я2как ультрафиолетовую (УФ), видимую и инфракрасную областия2(ИК). Границами видимой области являются 0.4мкм и 0.76мкм,я2граница УФ, ИК, рентгеновского и радиодиапазона условны.ИК-об-я2ласть подразделяется на поддиапазоны : 0.76-1.5 мкм - ближний,я21.5-12мкм - средний, 12-120мкм - дальний. Излучение с длинойя2волны 120-1000мкм оптики включают в дальний ИК-диапазон, ноя2существует другое название - субмиллиметровый поддиапазон. я_я22. Равновесное тепловое излучение. Фотоны. я2Тепловое движение электрических зарядов в любом теле соз-я2дает электромагнитное излучение, интенсивность которого за-я2висит от температуры и оптических свойств тела. Происхождениея2этого излучения представляется на основе моделей тела в видея2системы осцилляторов, излучающих электромагнитные волны воя2внешнее поле и поглощающих энергию из поля. Если в среднемя2мощность излучения в поле равна мощности, приходящей из поля,я2то система тело-поле находится в равновесии, и излучение телая2называется равновесным. Условие равновесия выполняется в замк-я2нутой изотермической полости. Такая полость ведет себя какя2абсолютно черное тело(АЧТ), т.к. луч, проникший в полость изв-я2не, будет полностью поглощен при многократных отражениях ия2рассеяниях на стенках полости. я2Напомним о законе Кирхгофа: отношение излучательнойя2способности любого тела (выраженной в ед. мощности с ед. пло-я2щади) к его поглощательной способности(доля поглощенного излу-я2чения) является универсальной функцией температуры и частотыя2излучения. Поглащательная способность АЧТ равна 1. Отсутствиея2 я2- 4 -я2зависимости от материала стенок полости АЧТ делает его эталон-я2ным излучателем. я2Проблема нахождения вида универсальной функции, выражающейя2распределение мощности излучения по спектру при заданной тем-я2пературе АЧТ была решена на основе квантовой гипотезы Планка,я2согласно которой испускание и поглощение электромагнитного из-я2лучения происходит дискретно(фотонами). Фотон имеет спин 1,я2что соответствует круговой поляризации волны. Фотоны относятсяя2к классу бозонов. Статистика Бозе-Эйнштейна исходит из положе-я2ния, что любое состояние системы может быть занято любымя2числом частиц. Вероятность рождения фотона в данном состояниия2w пропорциональна числу уже имеющихся фотонов n в этом состоя-я2нии плюс 1. Наличие единицы означает, что фотон может возник-я2нуть, если других фотонов в этом состоянии нет (процесс спон-я2танной эмиссии). я2Еще один вывод квантовой механики заключается в том, чтоя2энергия гармонического осциллятора равна ,я2где m - целое число. При m=0 осциллятор имеет энергию .я2Это "нулевые" колебания. я2Наличие фотонов в данном состоянии увеличивает вероят-я2ность рождения нового фотона. Эта стимулированная или индуци-я2рованная эмиссия служит основой генерации лазерного излучения. я_я23. Формула Планка. я2На рис. 1.1 стрелками изображены процессы поглощения ия2испускания двух типов (спонтанного и стимулированного) дляя2двухуровневой системы. Число актов поглощения за 1с. пропорци-я2онально числу атомов в нижнем состоянии , а число актовя2испускания пропорционально числу атомов в верхнем состоянии я2. Вероятности переходов вверх и вниз одинаковы - они опреде-я2ляются волновыми функциями нижнего и верхнего состояний. я2При равновесии число переходов вверх равно числу переходовя2вниз . Учтем теперь принцип Больцманая2и далее я21.1я2Тогда для энергии фотона я21.1ая2Нужно знать, сколько состояний в интервале частотя2имеет электромагнитное поле в полости АЧТ ? При квантовом под-я2ходе каждому состоянию приписывается обЪем в фазовом прост-я2ранстве, равный ,как следствие соотношения неопределен-я2ностей Гейзенберга я2Нас интересуют состояния в сферическом слое dp (рис.1.2).я2Его объем равен , а число состоянийя2равно я2Заменив , получим я2Каждое состояние характеризуется еще и спином, то есть по-я2ляризицией вправо или влево по кругу, поэтому полное числоя2состояний вдвое больше. я2Итак, число состояний в интервале частот равноя2 я2- 5 -я2Выражение называется спектральной плотностьюя2состояний. Умножив среднюю энергию одного состояния на числоя2состояний, получим энергию электромагнитного поля в единицея2объема в интервале частот я21.2я2Это и есть знаменитая формула Планка. я2Формулу Планка целесообразно переписать для плотности по-я2токов мощности излучения, иначе говоря энергетической свети-я2мости я2Формула Планка для энергетической светимости приобретаетя2вид 1.2ая2Заменим на получим я21.2б я2Эта функция табулирована. График ее на рис.1.3. Определивя2положение максимума распределения, получим закон Вина я21.3.я2Проинтегрировав распределение Планка по всем длинам волн, по-я2лучим закон Стефана-Больцмана для всего спектра излучения АЧТ,я2согласно которому полная (интегральная) энергетическая свети-я2мость пропорциональна 4-ой степени абсолютной температуры я21.4. я2Для отличия теплового излучения реальных тел от излученияя2АЧТ вводится коэффициент излучения ("коэффициент се-я2рости"). Это отношение энергетических светимостей реальногоя2тела и АЧТ. Ясно, что коэффициент излучения всегда меньше 1.я2Наименьшей величиной обладают полированные металли-я2ческие поверхности (зеркала). Для золотого зеркала - 0.02.я2Близкой к АЧТ является поверхность, покрытая сажей (0.98). Бе-я2лая бумага и кожа человека имеют =0.93 и 0.98 соответственноя2при температурах 20 и 32 градуса Цельсия. я_я24. Флуктуации теплового излучения. я2Как и во всех областях метрологии, при измерении слабыхя2потоков излучения флуктуации определяют предельные возможностия2измерительного устройства. я2Приведем формулы для среднего числа квантов и дисперсиия2числа квантов я21.6 я2В случае формула дисперсии приобретает вид,я2присущий классической статистике Пуассона для случайныхя2величин 1.7.я2Для коротковолновой области Планковского спектра и среднегоя2ИК-диапазона справедлива именно эта формула. я2В случае дисперсия принимает вид я2.я2То есть средняя квадратичная флуктуация энергии равна kT. Этотя2результат относится к длинноволновому ИК-диапазону и радиодиа-я2пазону. я_я25. Тепловой шум. я2В 1928г. Джонсон обнаружил, что любой резистор в электрон-я2ных схемах представляет собой источник флуктуирующего напряже-я2ния, которое получило название "шум Джонсона" или тепловойя2 я2- 6 -я2шум. Шум Джонсона привлекал все больше внимания, как фактор,я2ограничивающий параметры измерительных устройств.Тепловой шумя2имеет универсальный характер и не зависит от природы материалая2резистора, средний квадрат флуктуирующего напряжения по форму-я2ле Найквиста я21.8.я2Так на резисторе 1Мом при температуре 295К и ширине полосы 1Гця2шум - 0.13мкВ. я_я26.Понятие о тепловидении (термографии). я2Инфракрасная область на два порядка шире видимой. Вполнея2понятно желание освоить методы получения оптической информациия2ИК-области. Излучение тела с температурой ниже 390 К ужея2совсем невидимо. Зато в ИК-области оно дает мощное излучение,я2несущее много информации о своем источнике. Проблема визуали-я2зации слабо нагретых объектов по их собственному ИК-излучениюя2получила название тепловидения или термографии. Объектами наб-я2людения будут тела с температурой вблизи 300К. По закону Виная2получим, что максимальная интенсивность излучения будет прия2длине волны около 10мкм. Тепловидение в условиях поверхностия2Земли сталкивается с непрозрачностью атмосферы для многих ин-я2тервалов длин волн. К счастью, в спектре поглощения атмосферыя2имеются "окна прозрачности". Для тепловидения важны окная23-5мкм и 8-12мкм. Излучение тел с температурой 300К попадает вя2окно 8-12мкм. я2В ИК-области контрастность картины хуже, чем в видимой.я2Еще одна особенность тепловидения связана с различиями коэффи-я2циентов излучения отдельных деталей сцены. Установлено, чтоя2различие в коэффициентах излучения на 1% эквивалентно разностия2температур 1К. Все эти обстоятельства приводят к сильным разли-я2чиям между видимым изображением, к которому мы привыкли, ия2тепловизионным. Несмотря на это оно полезно не только для ноч-я2ных, но и для дневных наблюдений. Так как в области 8-12 мкмя2имеется менее 0.1% общего излучения Солнца - это "хвост" План-я2ковского распределения. я2Аппараты, служащие для получения тепловизионных изображе-я2ний, называются тепловизорами. Схема простейшего тепловизорая2изхображена на рис 1.5. На нем показаны ИК-объектив из герма-я2ния, сканнер в виде 2-х зеркал, фотоприемное устролйство (ФПУ)я2и индикаторный блок. Так как этот ФПУ имеет один молоразмерныйя2чувствительный элемент, развертка изображения должна вестисья2по 2-м координатам. Тепловизоры с одним фоточувствительнымя2элементом в ФПУ не достигают той чувствительности, которая не-я2обходима для многих применений. Поэтому используются ФПУ ся2многоэлементными линейками чувствительных элементов. каждыйя2элемент линейки осматривает свою строку. Но возникают труд-я2ности, связанные с неоднородностью параметров фоточувствитель-я2ных элементов линейки. Неприятности параллельное сканированиея2встречает при появлении дефекта хотя бы в одном из элементовя2линейки. я2В последние годы часто применяется последовательное скани-я2рование, реализующее режим временной задержки и накопленияя2(ВЗН). При последовательном сканировании линейкма работает какя2один элемент, поэтому нужно сканирование по двум координатам.я2При N- элементах линейки сигнал растет в N раз, а шум только вя2корень из N раз. я2Дальнейшее развитие техники сканирования пошло путем ком-я2бинации параллельного и последовательного сканирования. Прия2этой системе ФПУ имеет несколько линеек, и каждая из них рабо-я2 я2- 7 -я2тает в режиме ВЗН. Мечта разработчиков тепловизоров - двумер-я2ная система чувствительных элементов ФПУ (матрица, двумернаяя2решетка). я2Фоточувствительные элементы приемников излучения для теп-я2ловизоров делаются на основет нескольких полупроводниковых ма-я2териалов. Для области 3-5мкм используются антимонид индия ия2селенид свинца, а для области 8-12мкм твердый раствор теллури-я2дов кадмия и ртути (КРТ) и легированный германий. Фотоприемни-я2ки из перечисленных материалов должны охлаждаться, поэтому вя2состав ФПУ тепловизора включается микрокриогенное устройство -я2малогабаритные газовые холодильные машины. Воспроизведениея2изображэения по сигналам ФПУ реализуется несколькими методами.я2С помощью управления лучом миниатюрного кинескопа, свечениея2линейки из полупроводниковых светодиодов, а можно записыватья2информацию в память ЭВМ или на специальной электрохимическойя2бумаге. я2Для примера заметим, что в ручной тепловизионной ночнойя2визир человека можно увидеть в полной темноте на расстояниия2300 м. Объекты обычной военной техники видны ьна расстояниия22-3км. я2Тепловизоры применяются в народном хозяйстве, промышлен-я2ности и медицине. Состовляются тепловые карты местности, вя2авиации созданы системы переднего обзора, позволяющие видетья2турбулентности атмосферы, для машиностроения очень полезна ди-я2агностика распределения температур по микросборкам и по аппа-я2ратуре в целом. Обнаруживаются места утечек тепла из зданий ия2из трубопроводов. Легко представить себе, какую информацию дляя2врача может дать термограмма человека. я_ГЛАВА 2. Электромагнитные волны в свободном пространстве и в диэлектрическом световоде. я_я21.я. В этом разделе мы рассмотрим кроме задачи о плоскихя2волнах задачи о волнах в цилиндрических диэлектрических свето-я2водах. я2Запишем систему уравнений Максвелла я22.1 я2Будем искать решение в виде плоской волны я2где -волновой вектор, имеющий компонентыя2Легко видеть, что при заданном виде решенияя2подставив эти равенства в уравнения Максвелла, получимя2Равенства показывают, что векторыя2образуют правовинтовую систему координат. Кроме тогоя2Перемножая эти равенства, получим формулу Максвелла дляя2показателя преломления 2.2.я2 я2- 8 -я2Для немагнитных сред 2.2а,я2тогда для показателя преломления 2.2б. я2Рассмотренная поперечная электромагнитная волна в свобод-я2ном пространстве называется волной ТЕМ. Нас будет интересоватья2коэффициент отражения волны ТЕМ от границы раздела двух диэ-я2лектриков. Формулы для коэффициентов отражения и пропусканияя2были впервые выведены Френелем. я2При нормальном падении волны на границу раздела (рис.2.1)я2для вывода нужно использовать граничные условия, согласно ко-я2торым тангенциальные составляющие полей должны быть непрерыв-я2ными на границах раздела. На рис. 2.1 направление вектора я2отраженной волны противоположно направлению векторов я2в падающей и прошедшей волнах - это из требования о пра-я2вовинтовой системе я2При нормальном падении можно записать граничные условия вя2виде я2На основании 2.2 я2Далее имеемя2Обозначив коэффициент отражения по амплитудея2получим формулу Френеля я2Коэффициент отражения по мощности (интенсивности) волны я22.3 я2Если волна отражается от оптически более плотной среды, тоя2есть n2>n1, то коэффициент отражения по амплитуде становитсяя2отрицательным. Это означает изменение фазы отраженной волны ная2180 градусов - "потеря полуволны". я2Можно аналогично рассмотреть случай произвольного угла па-я2дения. Коэффициент отражения волны с вектором электрическогоя2поля в плоскости падения я22.4,я2где и углы падения и отражения. Мы видим,что при я2коэффициент отражения обращается в 0 - падение подя2углом Брюстера. Легко убедитьсяя2где n -относительный коэффициент преломления 2-х сред. я2Отсутствие отражения для одного из состояний поляризациия2использовалось для получения поляризованного света, затем прия2изготовлении лазерных трубок(кювет). я_я22. Волны в стекловолоконных световодах. я2На рис.2.2 изображен отрезок цилиндрического световода,я2состоящего из сердцевины с коэффициентом преломленияя2и оболочки с коэффициентом преломления , причем я2. Луч, вошедший в плоский торец световода, будетя2испытывать многократные полные внутренние отражения, если уголя2падения удовлетворяет условию , где я2. я2Величина называется числовой апертурой световода. За-я2тухание волны в этом простейшем световоде проявится на рассто-я2яниях порядка нескольких км. Более сложные структуры светово-я2 я2- 9 -я2да, в которых создается градиент состава стьекла, обеспечиваетя2распространение волны с допустимым затуханием на расстоянияя2более 100км. я2Зачем нужна оболочка световода? Во-первых, это связано ся2проникновением волны на глубину порядка длины волны во вторуюя2среду, во-вторых, с передачей информации по световоду в видея2очень коротких световых импульсов (рис.2.2). Вычисления пока-я2зывает, что уширение импульса вследствие разности ходая2аксиальных и наклонных луучей выражается формулойя2где длина пути в световоде в км., ия2разность показателей преломления внутренней и внешней сред.я2Дальнейшее сокращение импульсов достигается, когда "профиль"я2показателя преломления становится параболическим или болеея2сложным (рис. 2.3). я2Решение для двухслойного световода получается в аналити-я2ческой форме. Для аксиальной составляющей полей получены фор-я2мулы я2для сердцевины я2для оболочки я2где и - функция Бесселя и Ханкеляя2порядка k. Аргументы функцийзависят от двух параметров k и m.я2При k=0 решения распадаются на два класса: ТЕ-моды не имеютя2продольного электрического поля, ТМ-моды не имеют продольнойя2составляющей магнитного поля. При k=0 обращаются в 1 и распре-я2деление полей не зависит от азимута. На рис.2.5 изображены ра-я2диально-симметричные моды. Кроме того изображена более сложнаяя2мода -"гибридная", она наиболее полезна, когда нужно обеспе-я2чить одномодный режим. я_я23.Применение световодов. я2За последнее десятилетие имелся быстрый прогресс в техникея2оптической связи, ставший возможным в результате создания све-я2товодов с малым поглощением, новых типов полупроводниковых ла-я2зеров и фотоприемников.Наиболее впечатляющим достижениемя2явился ввод в эксплуатацию в 1988г. трансатлантической воло-я2конно-оптической линии связи (ВОЛС) между США и Европой длинойя27000 км. Эта линия обеспечивает возможность вести одновременноя240000 телефонных разговоров. Ведутся работы по сооружению ти-я2хоокеанской ВОЛС от Японии до Гавайских островов длиной 12000я2км.Кроме гигантских ВОЛС имеются сотни линий меньшей длины ия2множество внутриобъектовых и бортовых ВОЛС. я2Основным материалом световодов служит кварцевое стекло ся2предельно достижимой чистотой,легированное двуокисью германияя2и другими примесями. я2Оксиды, образующиеся при реакции, оседают в виде стекла ная2тонком стержне из такого же материала,какой хотят получить.я2Управляя составом реагиирующей смеси, можно нарастить толстыйя2стержень с заданным градиентом состава. Толстый стерженья2поступает в прецизионную установку для вытягивания более тон-я2ких стержней. Повторяя процедуру вытягивания, получают волокноя2диаметром 10-100мкм в виде многокилометровых отрезков. В ближ-я2нем ИК-диапазоне 1.3-1.6мкм стекло имеет минимальный коэффици-я2ент поглощения и минимальную дисперсию. я2Потери мощности излучения в световоде характеризуютсяя2числом децибел на 1км. Рекордно малое затухание составляетя2несколько сотых дБ/км. При передаче информации на большиея2 я2- 10 -я2расстояния в линии делаются ретрансляторы, состоящие из парыя2фотоприемник с усилителем(лазер). я2Информация передается по световоду в цифровой форме в видея2последовательности импульсов излучения полупроводникового ла-я2зера. Для передачи одного звукового канала требуется передатья264кБит/с, поэтому при стандартной информационной емкости кана-я2ла 256МБит/с по одному световоду можно передать 4000 звуковыхя2каналов. Для большей скорости передачия0 я2 информации делаетсяя2кабель, включающий несколько световодов. Конструкция опти-я2ческого кабеля показана на рис.2.6. Она обеспечивает абсолют-я2ную герметичность и защищенность световодов от механическихя2повреждений и рассчитана на десятки лет пребывания на дне оке-я2ана. я2Вторым типом световодных изделий для переноса изображенияя2являются волоконно-оптические пластины (ВОП), состоящие изя2миллионов коротких световодов. Технология ВОП основана на мно-я2гократных вытягиваниях и спеканиях, приводящих к получениюя2стержня, который разрезается на пластинки требуемой толщины. я2Интерес к ВОП возник при разработке оптико-электронныхя2систем, в которых требуется перенос изображения. Простейшимя2примером может служить фотографирование экрана электронно-лу-я2чевой трубки. Если люминофор нанесен на плоскую поверхностья2сравнительно толстого переднего стекла трубки, а не на ВОП, тоя2подавляющая доля света теряется. ВОП также очень полезны прия2стыковке электронно-оптических усилителей изображения с пере-я2дающими телевизионными трубками и при многих аналогичных про-я2цедурах. Также очень удобны ВОП, выполняющие поворот изображе-я2ния на 180 градусов. Задача поворота на 180 градусов изящноя2решается ВОП, в котором задняя поверхность повернута относи-я2тельно передней на 180 градусов. я_ГЛАВА 3. Квазимонохроматический свет. я21. В этой главе для описания электромагнитной волныя2используется "световой" вектор V. Аналог вектора Пойнтинга -я2интенсивность излучения . Тогда спектральный состав из-я2лучения будет характеризоваться функцией . На рис.3.1я2изображены три спектральных распределения интенсивности: дель-я2та-функция, узкополосное и широкополосное. Если ширина спектрая2значительно меньше центральной частоты полосы, то излучениея2называется квазимоноя0хя2ромотическим. В общем случае широкогоя2спектра говорят о полихроматическом излучении. я2Если световое колебание описывается функцией V(t), то пря-я2мое преобразование Фурье представляет его как суперпозициюя2бесконечного числа одночастотных колебаний с амплитудами .я2Обратное преобразование дает возможность вычислить эти ампли-я2туды:я2Отрицательные амплитуды не имеют физического смысла. Их нали-я2чие связано с тем, что тригонометрические функции выражаютсяя2по формулам Эйлера. я2Для квазимонохроматического света прямое преобразованиея2даетя2Под знаком интеграла остаются колебания с частотами многоя2меньшими, чем центральная частота. Поэтому интеграл представ-я2ляет собой медленно изменяющуюся функцию:я2 я2- 11 - я2Итак, квазимонохроматический свет описывается формулой:я2где амплитуда является сравнительно медленно меняющейся функ-я2цией времени. я2Введем понятие о форм-факторе спектральной линии, обозна-я2чаемом функцией . Она определяет спектральное распределе-я2ние интенсивности в пределах линии , причем вводитсяя2условие нормировкия2Тогда , где Io полная интенсивность в пределахя2спектральной линии. я2Смысл форм-фактора можно понять на примере излучения вя2двухуровневой системе. Нижний уровень можно считать неуширен-я2ным, а верхний уширенным в узкую зону. Тогда будет ха-я2рактеризовать априорную вероятность переходов электрона с раз-я2личных компонент уширенного уровня, я0 я2 что соответствуетя2испусканию фотонов с различными частотами. я_я22. Естественная ширина линии. я2Согласно принципу Гейзенберга . В двухуровневойя2системе нижний уровень может быть занят электронами неограни-я2ченно долго, следовательно его ширину можно считать пренебре-я2жимо малой. Занятость возбужденного уровня зависит от вероят-я2ности перехода электрона на нижний уровень.Ушя0ия2рение спектраль-я2ной линии,вызванное принципиально неустранимой причиной, какойя2является соотношение неопределенностей, принято называтья2естественной. я2Спад населенности верхнего уровня происходит по тому жея2закоя0ня2у, что и радиоактивный распад, поэтому можно считать, чтоя2излучение состоит из цугов волн с затухающей амплитудойя2при t>0, и V(t) = 0 при t<0. я2Спектр излученияя2Нижний предел интегрирования в этом случае можно считать рав-я2ным нулю, так как затухающие колебания начинаются в моментя2t=0. Выполнив вычисления, получим:я2Вторым членом в скобках можно пренебречь, так как в его знаме-я2натель входит сумма частот, в то время как в первом члене -я2разность частот. Интенсивность компоненты равная2Графия0кя2е функции изображен на рис. 3.2. Такая форма линиия2называется Лоренцевой. Формула (3.6) позволяет найти ширинуя2линий на уровне 1/2 от максимума. Она равна ,я2т.е. между шириной линии и временем затухания колебания су-я2ществует связь типа соотношения неопределенности. я2Для форм-фактора получаются выраженияя2из которых следует, что я2Таким образом, максимальное значение форм-фактора обратноя2пропорционально ширине линии.я2 я2- 12 - я_я23. Доплеровское уширение. я2Тепловое движение атомов и молекул в активных средах газо-я2вых лазеров приводит к эффекту Доплера и уширению на порядокя2спектральных линий. я2Как известно , где - частотая2излучения покоящегося атома, дельта ню - изменение частоты прия2эффекте Доплера, - составляющая скорости атома по направле-я2нию наблюдения (рис. 3.3), с - скорость света. я2Распределение по скоростям является Максвелловскимя2где m - масса атома, N - число атомов в единице объема. Оче-я2видно, что каждая группа атомов со скоростями в интервале я2дает свой вклад в общее излучение, пропорциональный числуя2атомов в этой группе. Поэтомуя2Подставив вместо ее значение из формулы Доплера , получим я2Форма линии, уширенной эффектом Доплера, является Гауссо-я2вой. Удобна для расчетов формула я2Для форм-фактора можно получить выражение я2При Доплеровском уширении каждому интервалу частоты соот-я2ветствует своя группа атомов, а при естественном уширении каж-я2дый атом дает свою уширенную линию. Уширение, аналогичноея2естественному, называется однородным, а аналогичное Допле-я2ровскому - неоднородным. я_я24. Спектры цугов волн. я2Первым примером будет ограниченный во времени отрезок гар-я2монического колебательного процесса изображенный на рис.3.4.я2Примем, чтоя2Применив преобразование Фурье, получимя2Спектральное распределение интенсивности имеет вид, изображен-я2ный на рис. 3.4. В этом случае целесообразно определить ширинуя2полосы частот как интервал между первыми нулями . Тогдая2получим соотношение неопределенности я2Второй пример относится к Гауссовым цугам, когдая2где характеризует длительность импульса. я2Выполнив преобразование Фурье, получим спектр с Гауссовымя2форм-фактором: я_я25. Уширение спектральных линий при столкновении атомов вя2 я2- 13 -я_я2газах. я2При обсуждении вопроса о естественной ширине спектральнойя2линии мы не вникали в проблему о факторах, определяющих времяя2жизни возбужденного состояния. я2Скя0оя2рость изменения заселенности возбужденного уровня прия2спонтанных переходах подчиняется уравнениюя2где - вероятность перехода за единицу времени (коэффициентя2Эйнштейна). Решение даетя2Квантовая механика позволяет вычислить коэффициент Эйнштейна,я2если известны волновые функции возбужденного и нормальногоя2состояний. я2Мы ограничимся ролью столкновения атомов и молекул в га-я2зах. я2Если считать , что каждое столкновение разрушает возбуж-я2денное состояние, то время жизни его будет определяться време-я2нем между столкновениями. При больших давлениях оно становитсяя2значительно меньше времени спонтанного распада, и шириная2спектральной линии будет определяться соотношением неопреде-я2ленности. я2Уширение в результате столкновений находит применение вя2инфракрасных лазерах, перестраиваемых по частоте. я2Мы видели, что характерные времена процессов, вызывающихя2уширение, обратны соответствующим вероятностям. Если все про-я2цессы независимы, то можно записать результирующее характерноея2время в видея2где в общем случае предполагается наличие уширения верхнего ия2нижнего уровней от различных внешних факторов. Ширину линиия2можно вычислить, считая, что она сохраняет Лоренцеву форму. я_я26. Спонтанное и стимулированное излучение. я2Следуя Фейнману, очень просто получить формулу для средне-я2го числа фотонов в данном состояниия2Такая же формула была получена при рассмотрении квантовогоя2осциллятора методом, который применил сам Планк. я2Для преобладания стимулированной эмиссии нужно получитья2неравновесное состояние среды. Рассматривается система с двумяя2уровнями энергии. я2Условие баланса скоростей эмиссии и поглощения фотоновя2получается из предположения, что скорость спонтанного излуче-я2ния пропорциональна числу возбужденных атомов среды в состоя-я2нии с энергией ; введя коэффициент Эйнштейна , запишем еея2в виде ; скорость поглощения пропорциональна произведе-я2нию числа атомов в нормальном состоянии на плотность энергиия2равновесного излучения , введя коэффициент , запишемя2ее в виде ; скорость стимулированного излучения про-я2порциональна числу атомов в возбужденном состоянии и плот-я2ности равновесного излучения, введя коэффициент , выразимя2ее как я2Из (5.4) найдемя2 я2- 14 -я2Учтя, что в соответствии с принципом Больцманая2получим формулу я2Для совпадения с формулой Планка должны выполняться соот-я2ношенияя2Исходя из (5.2), можно найти по времени спада люминисцен-я2ции среды при возбуждении импульсом коротковолнового света илия2электронным лучом. Тогда я_я27. Коэффициенты поглощения и усиления. я2Рассмотрим плоскую электромагнитную волну с частотой ,я2распространяющуюся в направлении X, являющуюся одним из типовя2колебаний (мод), которые могут существовать в среде. Определимя2плотность мощности Р(x), поглощаемую в слое dx. В соответствиия2с определением коэффициента В, имеемя2Связь эпсилон(х) и Р(х) дается формулойя2Тогдая2Его решение имеет видя2где введено обозначение я2Все изложенное относилось к одночастотному излучению,я2спектр которого выражался дельта-функцией. В действительности,я2спектральные линии испускания или поглощения более или менеея2уширены. Поэтому в выражении (5.12) нужно добавить в правойя2части множитель . Таким образомя2В силу условия нормировки форм-фактора я2Совершенно аналогично можно получить формулу для стимули-я2рованного излучения (процесса обратного поглощению), при этомя2получится формула для коэффициента усиления я2В общем случае изменения мощности волны при распростране-я2нии в среде будет выражаться я2Если нас интересует усиление электромагнитной волны, тоя2N2>N1. я_я28. Квантовый усилитель бегущей волны. я2Среда с инверсией заселенности энергетических уровней уси-я2ливает электромагнитную волну. По мере роста интенсивностия2 я2- 15 -я2волны истощается инверсная населенность, т.е. опустошениея2верхнего уровня самой волной при конечной скорости возбужденияя2внешнего источника.Поэтому экспоненциальный закон спя0ря2аведлив вя2ограниченном диапазоне интенсивностей, а далее происходит пе-я2реход к насыщению. я2Полупроводниковый усилитель представляет собой кристалликя2арсенида галия или иного материала, в котором создан р-n пере-я2ход. Его грани имеют антиотражающее покрытие. Как и в лазере,я2подача положительного смещения на р-n переход вызывает инжек-я2цию носителей заряда в область кристалла, где они становятсяя2неосновными и сильно неравновесными. В процессе рекомбинациия2носителей заряда возникает излучение с энергией примерно рав-я2ной ширине запрещенной зоны. Если бы грани кристалла действо-я2вали как зеркала, началсяя0 я2 бы процесс генерации лазерного из-я2лучения. Но этого не происходит: внешний сигнал, вошедший вя2активную область кристалла испытывает усиление за счет стиму-я2лированного излучения. я2Усилители бегущей волны световодного типа представляют со-я2бой отрезки волоконного световода из материала, легированногоя2ионами редкоземельных элементов, дающих собственное излучениея2на тех же волнах, как и подлежащие усилению. Возбуждение ред-я2коземельных ионов достигается подсветкой световода полупровод-я2никовым лазером. я_ГЛАВА 4.Лазеры (краткий обзор). я2Любой квантовый усилитель входит в режим генерации при на-я2личии достаточной положительной обратной связи. В лазере дляя2этого активная среда размещается в интерферометре Фабри-Пероя2(с плоскими или сферическими зеркалами). я2Инвертированная среда при каждом проходе усиливает волну,я2повышая плотность фотонов, причем аксиальные моды (волны ся2волновым вектором вдоль оси) усилятся больше, чем внеаксиаль-я2ные.Поскольку вероятность рождения фотонов пропорциональна ко-я2личеству уже имеющихся, то в итоге останутся только аксиальныея2моды,и из широкой спектральной линии спонтанного излучения вы-я2делится узкая линия стимулированного излучения аксиальной мо-я2ды. я2Встречные волны аксиальных мод образуют стоячую волну. Ная2расстоянии между зеркалами должно уложится целое число полу-я2волн(интерферометр с плоскими зеркалами).я2Поэтому интерферометер имеет много собственных частот, соот-я2ветствующих резонансам, которые он и выбирает из широкого кон-я2тура усиления(см.рис.4.3). При достаточно слабой инверсии мо-я2жет остаться только одна центральная мода. я2Условие самовозбуждения лазера.я2где - мощность аксиальной моды "затравочного" спонтанногоя2излучения, - мощность аксиальной моды после прохода "ту-я2да и обратно"; - коэффициент усиления средой; -я2коэффициент ослабления; , - коэффициенты отражения зер-я2кал; я2Для самовозбуждения нужно : я2Отсюдая2 я2- 16 - я2Основные типы лазеров: я21. гелий-неоновый. Разряд в чистом неоне не может привестия2к инверсии, но атом гелия имеет метастабильное состояние ся2энергией близкой к требуемой для возбуждения атома неона. Прия2столкновениях эта энергия передается атомам неона.Возможныея2испускаемые длины волн: 0.63, 1.15 и 3.39 мкм. Мощность пучкая2составляет единицы мВт. Применяются в оптическом приборострое-я2нии, исследовательской работе и метрологии (оптический гиро-я2метр). я22. аргоновый. В отличие от первого мощность излученияя2составляет 500 Вт, но при этом КПД менее 0.1%. Дает несколькоя2линий в сине-зеленой части спектра. я23. на парах меди. Дает мощное излучение в желтой и зеленойя2частях спектра. Работает в импульсном режиме. я24. углекислотный. Активная среда - смесь углекислоты, азо-я2та и гелия. Для создания инверсной заселенности энергия отя2возбужденной молекулы азота передается молекуле углекислоты.я2Гелий вводят в смесь для создания высокой теплопроводностия2(т.к. перегрев током разряда при больших мощностях,генерируе-я2мых лазером, затрудняет получение инверсии). Возбужденная мо-я2лекула углекислого газа совершает колебания трех типов. Однов-я2ременно с колебаниями происходит вращение молекулы. Квантыя2вращательной энергии значительно меньше квантов колебательнойя2энергии, что приводит к многоуровневому спектру излучения.я2Множество вращательно-колебательных переходов позволяет пе-я2рестраивать лазер по частоте с помощью селективного резонато-я2ра, состоящего из двух неселективных зеркал и дифракционнойя2решетки, выделяющей нужную спектральную линию. Спектр излуче-я2ния лежит в области 10.6мкм - 9.6мкм.Существующие лазеры ся2мощностью непрерывного излучения около десятков кВт и им-я2пульсные лазеры с энергией в импульсе в сотни кДж, при КПД доя230%. Используются в машиностроении, лазерных локаторах и даль-я2номерах, для контроля состава атмосферы. я2В конструкции лазера обычно используется замкнутый кон-я2тур, по которому циркулирует газовая смесь, проходящая для ре-я2генерации через устройство для каталитического окисления окисия2углерода (образуется при разложении углекислоты электрическимя2разрядом). я25. "эксимерный".Активная среда - смесь инертных газов ся2парами соединений, содержащих галоиды. Принцип получения ин-я2версной заселенности заключается в переходе молекулы из устой-я2чивого возбужденного состояния в неустойчивое нормальное, пе-я2рейдя в которое молекула диссоциирует. Создав в смеси условияя2для химической реакции образования молекул типа криптон-фтор,я2ксенон-фтор и т.д.,мы получаем инверсию, т.к. в нормальномя2состоянии таких молекул нет. Образование возбужденных молекуля2идет при сильном электрическом разряде и сжатом газе с добав-я2кой гелия при давлении выше 1 атм., или при облучении сжатогоя2газа быстрыми электронами. я2Дают импульсное УФ-излучение. Самое коротковолновое излу-я2чение получается в системе аргон-хлор(175 нм), а самое длинно-я2волновое в системе ксенон-фтор(351 нм). длительность импульсовя210 - 50 нс. Мощность до нескольких ГВт. Используются для изго-я2товления эпитаксиальных пленок полупроводников. я26. лазеры на активированных кристаллах и стеклах: я2- рубиновый: излучение на длине волны 0.69 мкм. я2- на стеклах, легированных ниодимом: для созданияя2 я2- 17 -я2инверсии активный элемент облучается импульсной лампой белогоя2света. Излучение вблизи 1.06 мкм. я2- на сапфире, активированном титаном: может перестраива-я2ться по длине волны в широкой области. я_ГЛАВА 6. Полупроводниковые лазеры и их применение. я_я21.я.К методам возбуждения электронной подсистемы полупровод-я2ника относятся инжекция через p-n переход,ионизация быстрымия2электронами и фотоионизация. Основные достижения в области по-я2лупроводниковых лазеров основаны на первом методе. я2Первые инжекционные лазеры были созданы в 1962г. на основея2арсенида галлия. Их простая конструкция(рис.6.1): пластинкуя2арсенида галлия n типа, полученная диффузией цинка, разделяютя2на кристаллики около 1мм; грани,перпендикулярные плоскости p-nя2перехода,служат зеркалами резонатора. Арсенид галлия имеетя2высокий показатель преломления ( 3.7 ), поэтому френелевскоея2отражение составляет около 30%. Этого достаточно для полученияя2генерации (например, при коэффициенте усиления 22 1/мм и длинея2резонатора 0.4мм усиление составляет 4500). Технологическиея2доработки приводят к приборам с исключительно ценным комп-я2лексом качеств: малые размеры области свечения,высокая яркостья2даже при малой мощности излучения, высокий КПД,простота моду-я2ляции излучения током питания, квазимонохроматичность излуче-я2ния и возможность интеграции с другими твердотельными прибора-я2ми на общей подложке. Последнее требуется, например,в прием-я2но-передающих модулях волоконно-оптических систем связи,вклю-я2чающих в себя лазер и фотодиод. Для усовершенствования приме-я2няют полупроводниковые гетероструктуры (системы контактирующихя2на атомном уровне различных полупроводников с неодинаковойя2щелью, но с предельно малым различием постоянных кристалли-я2ческой решетки, напр.:арсенид галлия - арсенид галлия-алюми-я2ния) и квантово-размерные структуры (настолько тонкослойныея2структуры, что движение в них электронов является двумерным). я2С энергетической точки зрения тонкий слой между слоями ся2несколько большей щелью является потенциальной ямой с верти-я2кальными стенками, в которой возникают устойчивые состояния,я2соответствующие стоячим волнам электронной волны. Оптическимя2аналогом квантово-размерной системы является интерферометря2Фабри-Перо. я2Простейшая структура лазера с одной квантовой ямой изобра-я2жена на рис.6.2. я2Мощность лазеров с гетероструктурами квантовой ямой дове-я2дена до единиц Вт в непрерывном режиме при комнатной темпера-я2туре, КПД достигает 50%.Повышение мощности достигается при по-я2мощи многоэлементных лазерных линеек (решеток). я2Для уменьшения расходимости светового пучка вместо зеркаля2на Френелевском отражении применяются структуры типа дифракци-я2онной решетки, нанесенной на поверхность кристалла. По анало-я2гии с отражением рентгеновских лучей от кристаллов эти дифрак-я2ционные зеркала называются Брэгговскими. Лазеры этого типа - "я2лазеры с распределенной обратной связью". Диаграмма направлен-я2ности их имеет ширину порядка 1 градуса, что существенно упро-я2щает оптическую систему формирования выходного пучка. я2Предыдущее изложение относилось к лазерам на основе арсе-я2нида галлия с щелью 1.47эВ, что соответствует длине волныя20.84мкм. я2Развитие ВОСС потребовало перехода к длинам волн 1.3 -я21.6мкм для уменьшения поглощения волн кварцевым стеклом ия2уменьшения дисперсии. Для этого применяются сложные полупро-я2 я2- 18 -я2водниковые системы из 4-х компонентов индий-галлий-фос-я2фор-мышьяк на подложке из фосфида индия. я_я22.Квазиуровни Ферми. Условие инверсии для полупроводников. я2В системе фермионов в равновесном состоянии уровни Фермия2всех подсистем равны. В сильно неравновесных системах стимули-я2рованное излучение доминирует над спонтанным. Вводя избыточныея2по сравнению с равновесным состоянием носители заряда в С- ия2V- зоны,мы заставляем их занимать более высокие состояния,я2т.к. по принципу Паули нижние уровни уже заняты носителями за-я2ряда. Поэтому в первый момент избыточные носители("горячие")я2не подчиняются распределению Ферми. я2Однако в процессе "остывания" за время порядка 1нс уста-я2навливается распределение Ферми, отличающееся от равновесногоя2значением энергии Ферми. После этого избыточные носители су-я2ществуют в зонах в течение времени на несколько порядков боль-я2ше времени остывания. Энергию Ферми для такого состояния назы-я2вают "квазиуровнем Ферми". Очевидно, что квазиуровни Ферми дляя2электронов и дырок не совпадают, как в равновесном состоянии. я2Определим условия для положения квазиуровней Ферми прия2преобладании стимулированной эмиссии над поглощением. Для это-я2го рассмотрим баланс переходов из С-зоны в V-зону и обратно.я2Число переходов за 1с пропорционально произведению вероят-я2ностей занятости состояния в С-зоне и V-зоне. Аналогично дляя2скорости переходов обратно. Коэффициенты пропорциональностия2одинаковы для переходов "вниз и вверх". Здесь нужно использо-я2вать формулу распределения Ферми-Дирака. При инверсии числоя2переходов "вниз" должно быть больше числа переходов "вверх".я2Поэтому условие инверсиия2где и функции, выражающие распределения Ферми дляя2электронов соответственно в С- и V-зонах. Введя вместо уровнейя2Ферми квазиуровни и , запишем их в видея2Для выполнения неравенства нужно, чтобыя2Отсюда следует я2Но есть энергия испускаемого фотона, которая не может бытья2меньше ширины щели (при выбранной нами модели собственного по-я2лупроводника). Поэтомуя2означающее, что квазиуровни должны быть расположены ниже по-я2толка V-зоны и выше дна С-зоны. я2Полученный результат не содержит информации о количествен-я2ном соотношении скоростей переходов с излучением и поглощени-я2ем. Решение этой задачи дается интеграломя2Этот интеграл аналогичен рассмотренному в главе 5 при рассмот-я2рении спектра спонтанного излучения. Положительный знак ре-я2 я2- 19 -я2зультата соответствует преобладанию стимулированных излуча-я2тельных переходов, а отрицательный - преобладанию переходов ся2поглощением. Для непосредственного измерения удобно ввести ве-я2личину эффективной плотности тока :я2где j - плотность тока, - внутренняя квантовая эффектив-я2ность, d - толщина области, где происходит рекомбинация. я2Результаты вычислений баланса излучательных переходов ия2переходов с поглощением и последующих вычислений коэффициентовя2усиления и поглощения изображены на рис.6.3 применительно кя2арсениду галлия. я2Зная коэффициент усиления, можно определить порог генера-я2ции лазерного излучения, когда усиление компенсирует потерюя2излучения. Вблизи порога начнется генерация на одной моде, со-я2ответствующей максимуму усиления, а при увеличении тока нач-я2нется генерация и на других модах, если они не подавляются ре-я2зонатором. я_я23. Условие перехода к генерации. Двойная гетероструктура. я2Для перехода к генерации лазерного излучения нужно обеспе-я2чить положительную обратную связь при помощи резонатора, поз-я2воляющего повысить плотность фотонов для определенных типовя2колебаний (мод) и реализовать принципиальную особенность фото-я2нов, заключающуюся в повышении вероятности рождения фотоная2пропорционально плотности уже имеющихся. Поэтому резонаторя2способствует рождению фотонов, соответствующих по частотея2собственных колебаний резонатора. Начало генерации обычноя2соответствует максимуму спектрального контура усиления, причемя2появляется одномодовое излучение, а затем при повышении токая2усиление становится достаточно высоким для начала генерациия2других мод. Спектр приобретает многомодовую структуру, изобра-я2женную на рис.6.4. я2При сильном возбуждении полупроводника без резонатора по-я2является излучение со сплошным спектром (суперлюминисценция).я2Полупроводниковые излучатели, в которых реализуется такой ре-я2жим, называются суперлюминисцентными светодиодами. я2Общее условие перехода к генерации:я2где R1 и R2 - коэффициент отражения зеркал резонатора, l -я2длина резонатора, ?? - коэффициент усиления и ?? - коэффициентя2поглощения на примесях и при рассеянии на неоднородностях. Дляя2полупроводникового лазера нужно учесть, что выше порога гене-я2рации связь коэффициента усиления и эффективной плотности токая2линейна я2Кроме того, следует уменьшить коэффициент усиления факто-я2ром Г ("фактор оптического ограничения") за счет ухода частия2излучения за пределы активного слоя. я2Для снижения пороговой плотности тока нужно уменьшить тол-я2щину активного слоя d и увеличить Г. Эти соображения реализо-я2ваны в гетероструктуре, использующей контактирующие слои по-я2лупроводников с разным химическим составом (арсенида галлия ся2 я2- 20 -я2арсенидом галлия-алюминия). я2Очень важно, что показатель преломления у арсенида гал-я2лия-алюминия меньше, чем у арсенида галлия, и на их границея2может иметь место полное внутреннее отражение. Поэтому слойя2арсенида галлия между двумя слоями арсенида галлия-алюминияя2образует световод. Кроме того, арсенид галлия-алюминия прозра-я2чен для излучения арсенида галлия, т.к. обладает большей шири-я2ной щели. я2Наконец, особенности контакта двух полупроводников с раз-я2ными щелями способствуют накоплению избыточных неосновныхя2носителей заряда в активном слое. Этот процесс поясняется ная2рис.6.5. я2Первая диаграмма относится к равновесному состоянию. Вто-я2рая соответствует прямому смещению ( - на n-области). Будемя2считать, что p-область заземлена. Подъем части диаграммы дляя2n-области заставит электроны устремиться в p+ -область, обрат-я2ный переход затруднен возникшим потенциальным барьером. Уйти вя2p-область они также не могут, т.к. барьер на границе p+ ия2p-областей сохранился. Дырки в p+ -области также остаются "за-я2пертыми", т.к. их выходу препятствуют барьеры, а на выходе изя2p-области барьера нет. я2Таким образом, двойная гетероструктура создает пространс-я2твенное ограничение для фотонов, заставляя их распространятьсяя2по световоду в активной области, и для электронов и дырок,я2"запирая" их p+ -области. я_я24. Примеры конструкций полупроводниковых лазеров. я2Примеры конструкций полупроводниковых лазеров приведены ная2рис. 6.1, 6.2, 6.9-6.12. Характерен рис.6.2, где показаная2структура одноэлементного гетеролазера с одним квантово-раз-я2мерным слоем, причем изображен профиль показателя преломленияя2в активной области и в ограничивающих слоях гетероструктуры.я2Длина узкой полоски активной области составляет доли мм. я2На рис.6.9 изображена более сложная конструкция лазера ся2активной областью из четверного соединения двух составов, из-я2лучающей на длинах волн 1.18мкм и 1.52мкм. Вышележащий слойя2фосфида индия p-типа и нижележащий слой n-типа образуют вместея2с активным слоем двойную гетероструктуру. Сама активная об-я2ласть расположена на "столике", который зарощен слоями фосфидая2индия, служащими для предотвращения диффузии избыточных носи-я2телей заряда в боковом направлении. Таким образом, они оказы-я2ваются "запертыми" в пределах активной зоны, что соответствуетя2повышению эффективной плотности тока. Рядом показана зависи-я2мость мощности излучения от тока через структуру при различныхя2температурах. По шкале оси абсцисс можно судить о величине по-я2рогового тока. я2Рис.6.11 дает представление о конструкции лазера с дифрак-я2ционной решеткой (отражателем Брегга). Решетка наносится не ная2активный слой, а на нижележащий волновой слой. Это делаетсяя2для предотвращения появлений дефектов в активном слое. я2Рис.6.12 изображает схему фазированной решетки из несколь-я2ких лазеров, которые могут обмениваться излучением благодаряя2наличию связей между ними. В результате обмена устанавливаетсяя2общее поле и лазеры начинают излучать в фазе друг с другом,я2что приводит к улучшению диаграммы направленности. я_я25. Применение полупроводниковых лазеров. я2Самый крупный потребитель лазеров - бытовая и специальнаяя2видеотехника.я2 я2- 21 - я2Вторая область массового применения - волоконно-оптическиея2линии связи (ВОЛС). Общая структура ВОЛС включает приемо-пере-я2датчики и кабель со световодами, а на длинных линиях еще пов-я2торители-ретрансляторы. Расстояние между ретрансляторамия2достигает 100 км. - такой прозрачностью обладают световоды изя2легированного кварцевого стекла. я2Приемо-передатчики представляют собой модули, содержащиея2лазер, стыкуемый со световодом, фотодиод и электронные мик-я2росхемы. Принципиальная схема изображена на рис.6.13. я2Созданы ВОЛС, в которых используется оптическое усилениея2сигнала. Для этого служит отрезок световода из стекла, легиро-я2ванного ионами примесей, которые возбуждаются излучением по-я2лупроводникового лазера на арсениде галлия. Этот отрезок явля-я2ется усилителем бегущей световой волны сигнала от основногоя2лазера-передатчика. я2Среди других применений отметим ряд типов волоконно-опти-я2ческих датчиков различных физических величин. Все эти устройс-я2тва по сути являются волоконно-оптическими интерферометрами,я2регистрирующими разность фаз, которая возникает при воздейс-я2твии внешних факторов на чувствительный элемент. я_ГЛАВА 7 я_я21.я. При изложении материала о приемниках оптического излу-я2чения будем использовать сокращения: ФП - фотоприемник, ФПУ -я2фотоприемное устройство, ФЭПП - фотоэлектрический полупровод-я2никовый приемник, ТФП - тепловой фотоприемник. я2ФП классифицируются по механизму реакции на излучение,я2т.е. преобразования оптического сигнала в электрический. Фо-я2тонные (квантовые): эл. сигнал возникает при прямом преобразо-я2вании энергии фотона в первичную реакцию ФП (например: фотоди-я2оды, фоторезисторы, фотоэмиссионные приемники, усилители изоб-я2ражения). Тепловые: энергия фотона преобразуется в теплоту, ия2реакция ФП создается в результате повышения температуры егоя2чувствительного элемента. я2Принцип действия фотодиодов основан на разделении полемя2контактной разности потенциалов избыточных (неравновесных) не-я2основных носителей заряда, созданных при поглощении фотоновя2(см.рис.5.8). Фототок добавляется к току равновесных неоснов-я2ных носителей. я2Принцип действия фоторезисторов основан на изменении соп-я2ротивления чувствительного элемента при поглощении фотонов. я2Можно конструктивно объединить фоточувствительный элементя2с предусилителем. Такие приборы называются фотоприемными уст-я2ройствами. Чувствительные элементы ФПУ могут быть сделаны изя2любого материала, применяемого в фотоэлектронике, а электрон-я2ный тракт состоит из обычных кремниевых компонентов. Многиея2ФПУ имеют по одному чувствительному элементу, но большая частья2применений требует наличия многих чувствительных элементов(я2напр. ФПУ для систем телевидения). я2К фотонным приемникам эмиссионного типа относятся все при-я2боры с внешним фотоэффектом эмиссии в вакуум. Среди них широкоя2используются фотоэлектронные умножители(ФЭУ) и электронно-оп-я2тические преобразователи(ЭОП). я2К тепловым фотоприемникам(ТФП) относятся болометры разныхя2типов, радиационные термоэлементы и пироэлектрические ТФП. я2Болометры преобразуют оптический сигнал, воспринимаемыйя2резистивным чувствительным элементом(ЧЭ), в теплоту. Повышениея2температуры изменяет сопротивление элемента, регистрируемоея2 я2- 22 -я2электронной схемой. Часто используются приборы с двумя рядомя2расположенными одинаковыми чувствительными элементами, один изя2которых принимает сигнал, а другой остается неосвещенным. Вя2этом случае используется мостовая схема, позволяющая уменьшитья2влияние изменений температуры окружающей среды. Чувствительныея2элементы неохлаждаемых болометров изготовляются из композицийя2оксидов металлов, обладающих полупроводниковыми свойствами,я2или из тонких пленок металлов. В охлаждаемых болометрахя2используются элементы из германия и кремния, легированные при-я2месями. Для повышения коэффициента поглощения излучения на по-я2верхность ЧЭ наносится слой черни. Спектральная областья2чувствительности болометра определяется свойствами черни ия2прозрачностью окна прибора, его можно считать неселективным вя2широкой области спектра. Недостатком болометров является боль-я2шая инертность с характерным временем порядка 1мс. По чувстви-я2тельности к слабым сигналам неохлаждаемые болометры уступаютя2фотоэлектрическим ФП на 2-3 порядка. Полупроводниковые боло-я2метры, охлаждаемые до гелиевых температур, имеют очень высокуюя2обнаружительную способность. я2Важным фактором, определяющим качество болометра, являетсяя2термический коэффициент сопротивления материала ЧЭ. Были раз-я2работаны сверхпроводящие болометры с очень резкой зависимостьюя2сопротивления от температуры в области сверхпроводящего пере-я2хода. я2Пироэлектрические ФП (ПФП) основаны на температурной за-я2висимости поляризации сегнетоэлектрических кристаллов, которыея2обладают постоянной поляризацией. Сигнал ПФП состоит в измене-я2нии плотности заряда на поверхности образца при нагревании.я2Образец пироэлектрика в виде пластинки с электродами на граняхя2подобен заряженному конденсатору. Нагревание пластинки сигна-я2лом излучения изменяет заряд и во внешней цепи проходит им-я2пульс тока. Если сигнал не модулирован, то тока во внешней це-я2пи не будет, т.е. ПФП реагирует только на изменение сигнала.я2ЧЭ для ПФП делаются обычно из триглицинсульфата или танталатая2лития. ПФП имеют большую инертность, чем фотоэлектрические ФП.я2Ия0мя2ется возможностья0 я2 повысить быстродействие ПФП ценой сниженияя2чувствительности. я_я22. Материалы, используемые при изготовлении ФЧЭ фоторе- я_я2зисторов и фотодиодов. я2Успехи современной микроэлектроники в основном связаны ся2хорошо разработанной технологией кремния и отчасти арсенидая2галлия. Для области 3-5мкм одним из основных материалов счита-я2ют антимонид индия. Для области 8-12мкм оптимальным материаломя2является твердый раствор теллуридов кадмия и ртути с составомя20.2 по кадмию. я2В среднем ИК-диапазоне до 10мкм можно использовать рядя2собственных полупроводников, а в дальнем - примесные полупро-я2водники. В области 8-12мкм пригодны собственный полупроводникя2КРТ и примесный германий с ртутью. я_я23.Конструкция фотоэлектрических полупроводниковых приемников я_я2излучения(ФЭПП). я2Одноэлементные неохлаждаемые ФЭПП в простейшем случае нея2имеют герметизирующего корпуса. ФЧЭ защищается от внешних воз-я2действий тонкой пластинкой, на которую наносится отражающеея2покрытие, заставляющее излучение проходить через чувствитель-я2ный слой дважды. Герметизация достигается с помощью полимерно-я2го герметика и обеспечивает сохранение свойств ФЧЭ при дли-я2 я2- 23 -я2тельном пребывании во влажной атмосфере. Более сложные ФППя2имеют металлический корпус с окном. Для устранения потерь ная2отражение на окна наносится антиотражающее покрытие. Иногда кя2ФЧЭ приклеивается иммерсионная линза. Она позволяет собратья2излучение на ФЧЭ малого размера, имеющий меньшие шумы и боль-я2шую чувствительность. Фотодиоды для ВОЛС имеют для ввода излу-я2чения короткий отрезок световода, который стыкуется с линией ся2помощью разъема. я_ГЛАВА 8. я_я21. ВАХ фотодиода. Структура фотодиода. Лавинный фотодиод. я2При освещении p-n перехода излучением, вызывающем переходыя2зона-зона, в каждой области происходит генерация свободныхя2носителей заряда (фотоносителей), которые не отличаются отя2"темновых", созданных тепловым движением. Они также "скатыва-я2ются" с потенциального барьера в сою область, где становятсяя2избыточными. Поэтому реакцией кристалла на фотоионизирующуюя2радиацию является рост тока насыщения и формула для ВАХ прини-я2мает видя2где Iф - фототок. Величина Iф связана с плотностью мощностия2монохроматического фотоионизирующего излучения формулойя2где - квантовая эффективность, т.е. доля фотонов, создав-я2ших фотоносители в области настолько близкой к ОПЗ и p-n пере-я2ходу, чтобы принять участие в токе неосновных носителей черезя2переход. я2Ампер-ваттная чувствительность для фотодиодов определяетсяя2как фототок, вызванный излучением с мощностью равной единице.я2Учитывая (8.1): я2ВАХ фотодиода изображена на рис 8.1. Обратим внимание ная2две возможности измерения мощности оптического сигнала. Перваяя2состоит в режиме обратного смещения с выходом на ток насыщенияя2и измерении разности токов при освещении и без него, а втораяя2- в измерении напряжения без внешнего смещения. Первый режимя2называется фотодиодным, а второй фотовольтаическим. При фото-я2диодном режиме кристалл действует аналогично фоторезитору, ая2при фотовольтаическом аналогично фотоэлементу - источнику ЭДС.я2Величину фотоЭДС Eф легко вычислить, положив в формуле ВАХя2I=0. В результатея2 я2- 24 -я2Если , то и связаны линейной зависимостью. Как ия2всякий источник напряжения, фотодиод имеет внутреннее сопро-я2тивление, на котором получается падение напряжения, поэтомуя2фотовольтаический режим в чистом виде реализуется при большомя2внешнем сопротивлении. Фотодиод следует делать на основея2пластинки p-типа и создавать на одной из ее поверхностей тон-я2кий слой n-типа. Излучение должно входить через слой n-типа ия2поглощаться в материале p-типа. я2Многие фотодиоды кроме высокой квантовой эффективностия2должны иметь малую инерционность, иначе говоря, большую ширинуя2информационной полосы частот. За последние десятилетия былия2разработаны лавинные фотодиоды(ЛФД), представляющие собой по-я2лупроводниковые аналоги вакуумных ФЭУ. В отличие от обычныхя2фотодиодов они имеют внутреннее усиление сигнала, которое соз-я2дается ударной ионизацией полупроводника ускоренными электро-я2нами или дырками. Для этого в структуре ЛФД должны иметься по-я2ля с напряженностью порядка 100кВ/см. я_я22. Шумы фотоэлектрических полупроводниковых приемников я_я2излучения (ФЭПП).Мощность эквивалентная шуму (МЭШ). я2Существуют два вида случайных процессов, связанных с кван-я2товой природой излучения, а именно, фотонный шум и тепловойя2шум резисторов. Есть также дробовой и генерационно-рекомбина-я2ционный шумы, существующие как при наличии освещенности фото-я2чувствительного элемента ФЭПП, так и без нее. Кроме этих шумовя2существует Фликкер-шум (1/f-шум), возникающий в результатея2различных явлений, которые можно в той или иной степени устра-я2нить технологическими приемами. я2Определим МЭШ. Начнем с радиационного шума. Обозначив МЭШя2через имеем в соответствием с формулой Шоткия2Если бы измерительная схема, включая фотоприемник, не имелая2шумов, то, при единичной ширине полосы, пропускаемой электрон-я2ным трактом, можно было бы зарегистрировать сигнал из несколь-я2ких фотонов. Фоторезистор, не имеющий темнового тока, но даю-я2щий усиление фототока по сравнению с фотодиодом вя2раз, имеет МЭШ в два раза большую,чем фотодиод. Это видно изя2вычисления, аналогичного проведенному для фотодиода :я2Перейдем к радиационному шуму, вызванному внешней подсветкойя2излучением фона с мощностью Pф. я2Повторяя те же вычисления получим для фотодиодая2Выразив мощность фоновой подсветки формулойя2где Eф - плотность потока фотонов фона и A - площадь ФЧЭ, по-я2лучим формулу для МЭШ фотодиода при ограничении флуктуации мо-я2нохроматической фоновой подсветки я2Аналогичная формула для фоторезистора, имеющего фотоэлект-я2рическое усиление G имеет видя2 я2- 25 -я2Коэффициент фотоэлектрического усиления сократился, а МЭШ ока-я2залась в корень из 2 раз больше, чем доя фотодиода. я2При использовании ФЭПП в аппаратуре космического назначе-я2ния плотность потока фотонов фона может быть снижена на многоя2порядков и доминируюшим становится тепловой шум. Выполнивя2простое вычисление по той же схеме получим формулу для МЭШ прия2ограничении тепловым шумом:я2где R и T - сопротивление и температура ФЧЭ. я2При ограничении флуктуациями темнового тока фоторезисторая2МЭШ вычисляется по формулея2в которую входит коэффициент фотоэлектрического усиления G. Вя2предыдущих формулах он сокращался, что означало одинаковоея2усиление фототока и его флуктуаций, но здесь он способствуетя2снижению МЭШ. я2Надо заметить, что фотоэлектрическое усиление полезно не-я2зависимо от влияния на МЭШ, т.к. повышение сигнала при наличиия2помех всегда желательно. я_я23. Обнаружительная способность. я2Понятие о МЭШ очень хорошо характеризует качество ФЭПП, ноя2более целесооразно выбрать новую меру качества так, чтобы вя2нее не входили и . Это достигается введением понятия обя2удельной обнаружительной способностия2Исключение и равносильно условию, что A=1кв.см и я2= 1Гц. я2Как видно из определения, величина измеряется едини-я2цами . Используя формулы для МЭШ получим: я2- при ограничении фотодиода флуктуациями фона в пределахя2телесного угла : я2- при ограничении фоторезистора флуктуациями фона в пределахя2телесного угла : я2- при ограничении тепловым шумом :я2где произведение - простая мера качества p-n переходов. я2Для идеального ФЭПП вычисляется по формулея2где введено , - предельная длина волны (квантовая эф-я2фективность равна 1 во всем диапазоне длин волн от0 до ия2равна нулю при более длинных волнах). я2Для теплового приемника излучения имеем я_я24.Гетеродинный (когерентный) прием излучения оптического я_я2диапазона. я2ФЭПП,рассмотренные в главе 8, пригодны для приема излуче-я2 я2- 26 -я2ния независимо от степени когерентности.Но одночастотный светя2во всех отношениях аналогичен одночастотному излучению радио-я2диапазона и для его приема можно применять метод гетеродиниро-я2вания.В отличие от гетеродинирования обычный метод получиля2название прямого детектирования.Напомним ,что идея гетеродини-я2рования состоит в смещении двух гармонических сигналов, разли-я2чающихся по частоте, на квадратичном детекторе. Один из нихя2подлежит приему, а другой, более мощный, создается местным ге-я2нератором - гетеродином, входящим в приемное устройство. Прия2смещении возникает разностная частота, сигнал которой поступа-я2ет в электронный тракт усиления и обработки. В оптическом диа-я2пазоне квадратичным детектором служит ФЭПП с достаточно высо-я2ким быстродействием, а процесс смещения осуществляется простойя2суперпозицией сигналов на его ФЧЭ. я2При гетеродинном приеме МЭШ пропорциональна (1), а не (2),я2как при прямом детектировании , и равна (3). я2Гетеродинный прием имеет существенные принципиальные преи-я2мущ
ства по сравнению с прямым детектированием, но его реали-я2зация обычно встречает трудности согласования волновых фронтовя2сигнала и гетеродина. я_ГЛАВА 9. я_Фотоэлектрические приемники изображения. я2К приемникам оптического изображения относятся электрон-я2но-оптические преобразователи (ЭОП), полупроводниковые матрицыя2с системой считывания сигналов с отдельных элементов и вакуум-я2ные телевизионные трубку со считыванием сигнала электроннымя2лучом. я2ЭОП предназначены для усиления и визуализации изображенийя2слабо светящихся объектов, недоступных прямому наблюдению че-я2ловеческим глазом. ЭОП служит основой приборов ночного виденияя2и многочисленных видов аппаратуры научного и народнохо-я2зяйственного назначения. Основная идея преобразования и усиле-я2ния изображения состоит в превращении оптического изображенияя2в электронное и затем снова в оптическое. Если исходное изоб-я2ражение было невидимым - ультрафиолетовым или инфракрасным доя2длины волны 1 мкм -, то оно преобразуется в видимое. Усилениея2получается путем ускорения электронов сильным электрическимя2полем. Эти процессы были впервые реализованы в 1934 г., в при-я2боре , получившем название "стакан Холста" /см. рис. 9.1/. я2Полупроводниковые фотоматрицы для телевидения и тепловиде-я2ния представляют собой приборы с зарядовой связью (ПЗС) .я2Основная идея ПЗС состоит в накоплении фотоэлектронов (или фо-я2тодырок) в миниатюрном конденсаторе со структурой ме-я2талл-окись-полупроводник (МОП) и передаче накопленного зарядая2по цепочке таких конденсаторов, управляемых электрическими им-я2пульсами. Заряд каждого конденсатора соответствует освещен-я2ности проектируемого на него элемента изображения (пикселя).я2Пройдя по цепочке конденсатора этот заряд, несущий информациюя2о данном пикселе, попадает в общий усилитель и далее служитя2видеосигналом. я2ПЗС фотоматрица по пороговой освещенности значительноя2уступает ЭОП, способному регистрировать отдельные фотоны . По-я2этому в последние годы были созданы гибридные системы с ЭОП ная2входе и стыкованной с ним ПЗС фотоматрицей.я2 я2- 27 - я_ГЛАВА 10. я_Интерференция квазимонохроматического света. я_Многолучевая интерференция. я_я21. Закон интерференции квазимонохроматического света. я2Излучение, удовлетворяющее условию , где цент-я2ральная частота полосы, называется квазимонохроматическим вя2отличие от идеального монохроматического одночастотного излу-я2чения. Закон интерференции одночастотного света легко получа-я2ется суммированием колебаний в двух интерферирующих волнах.я2Представим себе, что мы наблюдаем интерференцию при помощия2интерферометра Маха-Цендера /рис. 10.1/, в котором исходнаяя2волна разделяется на две светоделителем, причем для одной изя2них вводится временная задержка , соответствующая разнос-я2ти хода а затем обе волны сводятся вместе. Не учитываяя2векторный характер световых колебаний можем записать интенсив-я2ность результирующей волны в видея2гдея2Соответствующие интенсивности равныя2отсюда следует, чтоя2Заметим, что первые два члена дают "фотометрическое" сложение,я2а третье описывает интерференцию. Интерференционная картиная2будет представлять собой систему светлых и темных линий, сое-я2диняющих те точки, в которых результат интерференции одинаков.я2Контраст интерференционной картины (или видность) определяетсяя2по формулея2Подставив значения и в соответствии с закономя2интерференции, получим, что С=1 или 100% . я2Закон интерференции для квазимонохроматического света по-я2лучается по той же схеме, как для одночастотного света. Прия2этом будем считать, что процессы изменения амплитуд со време-я2нем стационарны, то есть результаты усреднения по времени нея2зависят от начала отсчета времени. Вычисление даетя2 я2- 28 -я2Интерференционный член имеет видя2где представляет собой функцию взаимнойя2корреляции величин и . я2Функция описывает степень связанности двух изменяю-я2щихся случайно величин. Нормированная функция взаимной корре-я2ляциия2Физический смысл легко понять, рассмотрев интерференциюя2двух волн с одинаковой интенсивностью и вычислив видность ин-я2терференционной картины. Оказывается, что С= .я2называют степенью когерентности. Для идеального одночастотногоя2света она равна 1,при фотометрическом сложении равна 0,а дляя2монохроматического света имеет промежуточное значение. я_я22.Теорема ван-Ситтерта-Цернике. я2Можно ли наблюдать интерференционную картину от источника,я2излучение которого заведомо некогерентно, например, от Солнцая2или любого нагретого тела ? Этот вопрос получил положительныйя2ответ в исторически первом интерференционном опыте Юнга, в ко-я2тором наблюдалась интерференционная картина при суперпозициия2волн от двух дырок, проколотых в непрозрачном экранея2/рис.10.3/.Наша задача будет состоять в теории опыта Юнга,ре-я2зультатом которой является теорема ван-Ситтерта-Цернике.Ная2рис.10.4 в плоскости изображен плоский некогерентныйя2источник, а в плоскости экран с двумя дырками. я2Будем считать, что на пути волн установлен светофильтр,я2пропускающий полосу частот, удовлетворяющую условию квазимо-я2нохроматичности. Для выяснения вопроса, получится ли достаточ-я2ная интерференционая картина при суперпозиции волн от дырок Р1я2и Р2 на экране, нужно найти функцию взаимной корреляции коле-я2баний в Р1 и Р2. я2Выделим на плоскости источника элемент площади ия2запишем колебания в точках Р1 и Р2, создаваемые сферическимия2волнами от элемента :я2Для определения колебаний от всех элементов поверхностия2источника запишем суммы: я2Подставив суммарные колебания, получим я2Вторая сумма с разными индексами n и m равна нулю, так какя2мы считаем источник пространственно не когерентным .Первуюя2сумму можно преобразовать в интеграл по площади источника,я2введя плотность интенсивности и заменив ная2При условии ,что источник расположен достаточно далеко отя2 я2- 29 -я2экрана с дырками :я2где введены безразмерные координаты p=(x1-x2)/R, q=(y1-y2)/R. я2При сделанных предположениях произведение R1*R2 можно за-я2менить на R*R и вынести за знак интеграла .В заключение можноя2распространить пределы интегрирования до бесконечности, такя2как за пределами источника в плоскости я2Конечный результат имеет видя2Функция взаимной корреляции с точностью до множителя являетсяя2двумерным Фурье-преобразованием от распределения интенсив-я2ностей по площади источника. я_я23.Применение теоремы ван-Ситтерта-Цернике к источнику в я_я2виде равномерно светящегося круглого диска . я2На рис.10.5 применим полярную систему координат вя2плоскостях и X,Y : я2Для отрезка , показанного на рис.10.6 имеем:я2Тогда интеграл приобретает вид, хорошо известный в теориия2Бесселевых функций я2Напомним, что Бесселева функция первого рода и нулевогоя2порядка равна интегралуя2и что существует формула, связывающая Бесселевы функции перво-я2го и нулевого порядкая2В нашем случае я2График функции показан на рис.10.6. При =3.83я2видность интерференционной картины обращается в 0, затемя2несколько возрастает и снова обращается в 0.я2Т.к. , тоя2 я2- 30 - я2Введя угловой размер светящегося диска получимя2конечный результат я2Иначе говоря, на поверхности волнового фронта можно выде-я2лить кружок, в пределах которого имеется пространственная ко-я2герентность. Диаметр этого кружка когерентности равен я_я24.Звездный интерферометр Майкельсона и измерение я_я2угловых размеров звезд. я2Схема звездного интерферометра изображена на рис.10.7.я2Увеличивая базу перемещением зеркал, можно как бы проходить поя2кружку когерентности. Эксперименты состояли в визуальном наб-я2людении интерференционной картины при увеличении базы. Интер-я2ференционная картина становилась все менее контрастной и, на-я2конец исчезала,а затем снова появлялась при значительно мень-я2шем контрасте. Т.о., величина b1 становилась известной, и фор-я2мула 10.9 давала возможность вычислить угловой размер звезды.я2Майкельсон измерил угловые диаметры ряда звезд, в частности,я2звезды Бетельгейзе, угловой диаметр которой составил 0.05 угл.я2сек. я_я25.Радиоинтерферометр. я2На рис.10.7 изображена схема радиоинтерферометра на основея2двух радиотелескопов. Размер базы пока ограничен размерамия2Земли, но имеются сведения о выносе радиоинтерферометров вя2космос .Реализовать непосредственную суперпозицию радиосигна-я2лов от двух далеко расположенных телескопов невозможно, поэто-я2му электронная система каждого телескопа должна обеспечиватья2их магнитную запись с привязкой к сигналам точного глобальногоя2времени,после чего можно наблюдать в лабораторных условиях ин-я2терференцию электрических сигналов от двух магнитных записей. я_я26.Фурье-спектроскопия. я2Фурье-спектрометр состоит из интерферометра Майкельсона ся2механизмом плавного перемещения одного из зеркал (по оси X),я2фотоприемного устройства (ФПУ), аналого-цифрового преобразова-я2теля и компьютера с дисплеем и графопостроителем (смя2рис.10.9). Пусть распределение интенсивности в спектре иссле-я2дуемого излучения выражается функцией , вид котор ой под-я2лежит определению. Перемещая зеркало по оси X, мы изменяемя2разность хода и тем самым интенсивность излучения на ФПУ. за-я2висимость тока ФПУ от перемещения зеркала (интерферограмма)я2преобразуется двоичным кодом и записывается в памяти компьюте-я2ра. Переменная составляющая тока , вызванная излучением ся2частотой , будет равная2где -ампер-ваттная чувствительность, а общий ток от всехя2частот выразится интегралом я2Совершая обратное преобразование Фурье, получимя2 я2- 31 - я2Ошибка при распространении верхнего предела по X до беско-я2нечности оказывается незначительной. я_я27.Многолучевая интерференция. я2На рис.10.10 изображена схема хода лучей при фокусировкея2выходящих лучей в фокальной плоскости линзы. Легко показать,я2что разность фаз соседних лучей, от которой зависит результатя2интерференции, равная2где d-толщина пластинки, -угол преломления и n-показателья2преломления. При нормальном падении будет я2Найдем теперь результат интерференции всехпрошедших лучейя2и паолучим формулу Эйри. я2На рис.10.11 показана часть рис.10.10, где введены следую-я2щие обозначения коэффициентов отражения и пропускания по амп-я2литудпе: r-для отражения от пластинки в воздух, r'=-r-для от-я2ражения от поверхности пластинки в пластинку, t-для пропуска-я2ния из воздуха впластинку и t'-для пропускания из пластинки вя2воздух. Если принять амплитуду падающей волны за 1, то надписия2на схеме дадут амплитуды сответствующих лучей. Заметим так же,я2что r'=-r в силу различия условий отражения, а коэффициент от-я2ражения по мощности от поверхнолсти пластинкия2Коэффициент пропускания по интенсивности T=t*t'.Очевидно, чтоя2R+T=1. Ряд, выражающий результат интерференции при сделанныхя2обозначениях, имеет вид геометрической прогресиия2откудая2введем обозначениея2тогда формула Эйри примет видя2Величина F называется фактором резкости.я2Коэффициент пропускания обращается в 1 при условиия2Стопроцентное пропускание получается при условии ,я2где q-целое число, илия2На оптической толщине пластинки должно укладываться целоея2число полуволн, что совпадает с условием образования стоячихя2волн. Ширина резонансных полос на уровне 1/2 от максимума рав-я2на я2Отсюда видно, что узкие максимумы получаются при высокомя2коэффициенте отражения поверхности. я_я28. Интерферометр Фабри-Перо как спектральный прибор и я_я2резонатор. я2Рассмотрим сканирующий интерферометр. Зеркала сканирующегоя2интерферометра могут перемещаться параллельно самим себе прия2 я2- 32 -я2помощи прокладки из пьезоэлектрического материала. Изменениея2базы настраевает прибор на определенную длину волны,для кото-я2рой система максимально прозрачна.Направив прошедшее через ин-я2терферометр излучение на фотоприемник и подав его сигнал ная2осцилограф, получим наглядную картину контура спектральной ли-я2нии. я2Интерферометр Фабри-Перро используется как резонатор ся2межмодовым расстояниемя2и добротностью я_я29.Просветление оптики. я2По мере усложнения оптических систем с целью снижения хро-я2матической и геометрической аббераций, проблема контраста ста-я2новилась все более актуальной, и в 30-е годы получила техноло-я2гическое рещение, состоящее в нанесении на поверхности опти-я2ческих деталей тонких пленок с оптической толщиной 1/4 длиныя2волны. При этом условии лучи, отраженные от передней и заднейя2поверхностей пленок имеют разность хода в 1/2 длины волны. Дляя2пролного гашкния отраженной волны материал пленки должен иметья2показатель преломления, равный среднему геометрическому из по-я2казателей преломления подложки и среды на входе. я_я210. Интерференционное зеркало. я2Обычно применяемые металлические зеркала при самой совер-я2шенной технологии не могут иметь коэффициент отражения, близ-я2кий к 100%, т.к. электромагнитная волна проникает на глубинуя2скин-слоя и индуцирует в металле токи оптической частоты,выде-я2ляющие джоулево тепло.Границы раздела диэлектриков свободно отя2жтого недостатка, но коэффициент Френелевского отражения оченья2мал. Выход был найден путем создания многослойных структур изя2чередующихся слоев двух диэлектриков с неодинаковыми показате-я2лями преломления. типичной парой являются сернистый цинк ия2криолит, имеющие показатели преломления соответственно 2.3 ия21.3. Все отражения усиливают друг друга при интерфыеренции. Ная2рис. 10.17 изображена схема хода лучей, возникащих при многок-я2ратных отражениях. Среда на входе (воздух) имеет показателья2преломления n0, подложка - n3. Между ними m пар слоев с пока-я2зателями преломления n1 и n2. Коэффициент отражения системыя2равен я2Полученная формула показывает, что при большом числея2слоев коэффициент отражения стремится к 100% независимо отя2того, будет ли n1>n2 или n1
Нравится материал? Поддержи автора!
Ещё документы из категории физика:
Чтобы скачать документ, порекомендуйте, пожалуйста, его своим друзьям в любой соц. сети.
После чего кнопка «СКАЧАТЬ» станет доступной!
Кнопочки находятся чуть ниже. Спасибо!
Кнопки:
Скачать документ