Министерство Образования РФ

Тюменский Государственный Нефтегазовый Университет

Курсовая работа

по дисциплине: Электроника.

Выполнил: студент гр. АиУ-01-4

Муфтахов Эльвир Асхатович

Проверил: к.т.н., доцент

Крамнюк Анатолий Илларионович

Тюмень 2003

Содержание

1. Техническое задание………………………………………………………...

2. Введение……………………………………………………………………...

3. Блок-схема……………………………………………………………………

4. Расчет каскадов усилителя мощности:

4.1. Выходной каскад………………………………………………………...

4.2. Повторитель 3……………………………………………………………

4.3. Аттенюатор………………………………………………………………

4.4. Повторитель 2……………………………………………………………

4.5. Усилитель 2………………………………………………………………

4.6. Повторитель 1……………………………………………………………

4.7. Усилитель 1………………………………………………………………

4.8. Расчет разделительных конденсаторов………………………………...

5. АЧХ и ФЧХ усилителя на транзисторе VT4……………………………….

6. Расчет искажений на верхних частотах…………………………………….

7. Расчет стабилитронов………………………………………………………..

8. Расчет радиаторов охлаждения……………………………………………..

9. Технология изготовления печатных плат…………………………………..

10. Спецификация………………………………………………………………

11. Карта режимов……………………………………………………………...

12. Список литературы…………………………………………………………

Стр.

3

4

4

5

11

14

17

20

24

27

31

32

34

36

38

39

40

41

43

1. Техническое задание

Необходимо спроектировать и рассчитать усилитель мощности со следующими параметрами:

• на выходе он должен обеспечивать при нагрузке R_н=19,8185 Ом мощность P_вых=5,7427 Вт;

• Диапазон частот работы усилителя мощности 59,5728 Гц – 59572,8 Гц;

• Значения частотных искажений М_н=1,0151, М_в=1,1М_н=1,11661;

• Значение коэффициента нелинейных искажений, которые должны обеспечивать выходной каскад усилителя мощности K_f=0,0624 %;

• Входное сопротивление усилителя мощности R_вх=0,2646 кОм=264,6 Ом;

• Входное напряжение усилителя мощности Uвх=0,0179 В;

• Аттенюатор с ослаблением 0; -0,1763 дБ; -1,763 дБ; -17,63 дБ.

2. ВВЕДЕНИЕ

Усилитель мощности предназначен для создания требуемой мощности сигнала в нагрузке. Усилитель колебаний низкой частоты – составная часть каждого современного радиоприемника, телевизора или магнитофона. Усилитель является основой радиовещания по проводам, аппаратуры телеуправления, многих измерительных приборов, электронной автоматики и вычислительной техники, кибернетических устройств.

3. Блок-схема

Выходной каскад предназначен для обеспечения заданной мощности на заданном сопротивлении нагрузки.

Повторитель 3 увеличивает входное сопротивление выходного каскада.

Аттенюатор служит для плавной и ступенчатой регулировки уровня ослабления выходного напряжения.

Повторитель 2 увеличивает входное сопротивление аттенюатора.

Усилители 1, 2 увеличивают входное напряжение до величины, необходимой для выходного каскада.

Повторитель 1 увеличивает входное сопротивление усилителя 2, для того, чтобы обеспечить величину входного напряжения и сопротивления усилителя 1 указанного в техническом задании.

4. Расчет каскадов усилителя мощности

4.1. Выходной каскад

1. Определим амплитудные значения тока и напряжения:

2. Определим P_доп:

3. Определим U_кэ12, U_кэ13:

4. Определим E_к:

Приняв U_з = 0,7В получили E_к = 43,118В, округлим это значение до стандарта, т.е. примем E_к = 45В

5. Выберем тип транзисторов VT12, VT13 (n-p-n) соответствующий найденным параметрам:

 

Модель

P, Вт

U(кэ), В

I(k), A

β

f(гр), Mhz

C(к)

I(ко), А

U(бэ), В

VT12

КТ817Б

25

45

3

15

3

60

0,00005

0,7

VT13

КТ817Б

25

45

3

15

3

60

0,00005

0,7

6. Определим ток покоя VT12, VT13:

Примем I_п12,13 = 390 мА

7. Определим величину резисторов защиты:

, выбираем по Е24, R_38,40 = 1,8 Ом

8. Определим ток покоя VT10, VT11:

, выбираем по E24, R_37,39 = 18 Ом

9. Определим U_кэ10,11:

10. Определим мощность, рассеиваемую на VT10, VT11:

11. Выберем тип транзисторов VT10(n-p-n), VT11(p-n-p) соответствующий найденным параметрам:

Модель

P, Вт

U(кэ), В

I(k), A

β

f(гр), Mhz

C(к)

U(бэ), В

VT10

КТ815Б

10

50

1,5

20

3

60

0,7

VT11

КТ814Б

10

50

1,5

20

3

60

0,3

12. Определим величину напряжения смещения U₀ по равенству:

13. Определим ток покоя транзистора VT9:

, примем I_п9 = 0,015А, тогда

14. Определим R₃₅+R₃₆:

15. Определим мощность, рассеиваемую на VT9:

16. Выберем тип транзисторов VT9(n-p-n) соответствующий найденным параметрам:

Модель

P, Вт

U(кэ), В

I(k), A

β

f(гр), Mhz

C(к)

U(бэ), В

VT9

КТ961Б

1

60

1,5

100

50

20

0,7

17. Выберем R₃₅ >> R_н, то есть R₃₅ = 200 Ом

Тогда R₃₆ = 1449,4 – 200 = 1249 Ом = 1,249 кОм

Примем R₃₆ = 1,2кОм.

18. Определим величину емкости C₁₅ из условия:

Примем C₁₅ = 47мкФ

19. Определим емкость в цепи компенсации:

Примем C₁₈ = 220мкФ

20. Определим коэффициент передачи повторителя на транзисторах VT10 – VT13:

21. Проверим правильность выбранного значения U_кэ9:

22. Определим входное сопротивление выходного каскада в целом:

23. Величина R_~ для предварительного каскада равна:

24. Найдем входное сопротивление транзистора VT9:

25. Определим коэффициент усиления предварительного каскада:

26. Определим коэффициент усиления всего выходного каскада:

27. Выбираем ток базового делителя VT9:

28. Определим резистор делителя:

Примем R₃₀ = 910 Ом

Выберем R₃₄ из условия R₃₄ > R_н. Одновременно для уменьшения необходимой емкости конденсатора фильтра C₁₆ желательно выбирать как можно больше.

Поэтому принимаем R₃₁ = 1300 Ом = 1,3 кОм, R₃₄ = 12000 Ом = 12 кОм

29. Определим емкость конденсатора фильтра:

Примем C₁₆ = 3300мкФ

30. Определим неизвестные сопротивления:

31. Определим падения напряжений на резисторах:

32. Рассчитаем мощности резисторов:

Вт Вт

Вт Вт

Вт Вт

Вт Вт

Вт Вт

Вт

33. Рассчитаем напряжения на конденсаторах:

Расчет ООС:

34. Рассчитаем глубину ООС:

35. Рассчитаем входное сопротивление выходного каскада:

Примем R₂₈ ≈ R_вх = 200 Ом

36. Рассчитаем эквивалентное сопротивление:

Примем R₂₉ = 1600 Ом

37. Определим коэффициент усиления выходного каскада с ООС:

4.2. Повторитель 3

Нагрузкой для данного повторителя будет являться входное сопротивление выходного каскада, т.е. сопротивление R₂₈ цепи обратной связи, а за амплитуду выходного напряжения примем входное напряжение выходного каскада, т.е.:

R_н = 200 Ом

1. Вычислим значение тока протекающего через нагрузку:

2. Определим параметры транзистора VT8:

3. Выберем тип транзистора VT8 (n-p-n) соответствующий найденным параметрам:

 

Модель

P, Вт

U(кэ), В

I(k), A

β

f(гр), Mhz

C(к)

VT8

КТ315Б

0,15

20

0,1

50

250

7

4. Определим значение тока базы VT8:

5. Определим падение напряжения на R₂₄:

6. Определим параметры транзистора VT7:

7. Выберем тип транзистора VT7 (n-p-n) соответствующий найденным параметрам:

 

Модель

P, Вт

U(кэ), В

I(k), A

β

f(гр), Mhz

C(к)

VT7

КТ315Б

0,15

20

0,1

50

250

7

8. Определим значение тока базы VT7:

9. Определим значение тока делителя:

Выберем ток базового делителя из условия, что I_д>>I_б. Примем:

10. Найдем значение резистора R₂₄:

11. Найдем значение резистора R₂₃:

R₂₃ = (5-10) кОм. Примем R₂₃ = 10000 Ом, тогда

12. Определим падения напряжений на резисторах базового делителя:

13. Определим значения резисторов базового делителя:

14. Определяем величину R_э~:

15. Определим входное сопротивление транзистора VT7:

16. Определим коэффициент передачи повторителя:

17. Определим входное напряжение повторителя:

18. Вычислим значение входного сопротивления повторителя:

19. Определим величину емкости конденсатора С₁₂, исходя из условия:

Примем C₁₆ = 100 мкФ

20. Определим напряжение на конденсаторах:

21. Определим мощности резисторов:

4.3. Аттенюатор

Аттенюатор должен обеспечивать дискретное переключение диапазонов и плавное изменение сигнала внутри них:

(-17.63 ... -1.763) дБ

(-1.763 ... -0.1763) дБ

(-0.1763 ... 0) дБ

Для нормальной работы аттенюатора необходимо выполнение следующего условия:

1. Для обеспечения максимального ослабления (-17.63 ... -1.763) дБ:

Округлим найденное значение сопротивления по раду Е24: R₄₃=7,5кОм

Тогда максимальное ослабление в этом диапазоне будет:

2. Для диапазона (-1.763 ... -0.1763) дБ

Округлим найденное значение сопротивления по раду Е24: R₄₂=240 Ом

Тогда максимальное ослабление в этом диапазоне будет:

3. Для диапазона (-0.1763 ... 0) дБ

Округлим найденное значение сопротивления по раду Е24: R₄₁=22 Ом

Тогда максимальное ослабление в этом диапазоне будет:

4. Рассчитаем напряжения на резисторах аттенюатора:

Для U_R25 возьмём наибольшее значение, т.е. когда ослабление наименьшее:

Рассчитаем мощности данных резисторов:

4.4. Повторитель 2

Нагрузкой для данного повторителя будет являться эквивалентное сопротивление, т.е. параллельное соединение сопротивления R₄₄ аттенюатора и R_вх предыдущего повторителя, а за амплитуду выходного напряжения примем входное напряжение того же повторителя, т.е.:

1. Вычислим значение тока протекающего через нагрузку:

2. Определим параметры транзистора VT6:

3. Выберем тип транзистора VT6 (n-p-n) соответствующий найденным параметрам:

 

Модель

P, Вт

U(кэ), В

I(k), A

β

f(гр), Mhz

C(к)

VT6

КТ315Б

0,15

20

0,1

50

250

7

4. Определим значение тока базы VT6:

5. Определим падение напряжения на R₂₀:

6. Определим параметры транзистора VT5:

7. Выберем тип транзистора VT5 (n-p-n) соответствующий найденным параметрам:

 

Модель

P, Вт

U(кэ), В

I(k), A

β

f(гр), Mhz

C(к)

VT5

КТ315Б

0,15

20

0,1

50

250

7

8. Определим значение тока базы VT5:

9. Определим значение тока делителя:

Выберем ток базового делителя из условия, что I_д>>I_б. Примем:

10. Найдем значение резистора R₂₀:

11. Найдем значение резистора R₁₉:

R₁₉ = (5-10) кОм. Примем R₁₉ = 10000 Ом, тогда

12. Определим падения напряжений на резисторах базового делителя:

13. Определим значения резисторов базового делителя:

14. Определяем величину R_э~:

15. Определим входное сопротивление транзистора VT5:

16. Определим коэффициент передачи повторителя:

17. Определим входное напряжение повторителя:

18. Вычислим значение входного сопротивления повторителя:

19. Определим величину емкости конденсатора С₉, исходя из условия:

Примем C₉ = 100 мкФ

20. Определим напряжение на конденсаторах:

21. Определим мощности резисторов:

4.5. Усилитель 2

Нагрузкой для данного усилителя будет являться входное сопротивление предыдущего каскада R_вхП2, а амплитудой выходного сигнала будет амплитуда входного сигнала повторителя, т.е.:

U_н=2.12 В

R_н=189673 Ом

Расчет каскада по постоянному току:

1. Определим ток в нагрузке:

2. Ориентировочно зададим значения I_кmin и U_кэmin, используя соотношения:

3. Определяем I_кmax:

4. Зададимся значением γ_э и вычислим λ:

5. Определим Е_к и R₁₅, U_C7:

6. Определим I_кнач и U_кнач:

7. Определим допустимую мощность рассеивания на транзисторе:

8. Выберем тип транзистора VT4 (n-p-n) соответствующий найденным параметрам:

 

Модель

P, Вт

U(кэ), В

I(k), A

β

f(гр), Mhz

C(к)

VT4

КТ340Б

0,15

20

0,05

100

300

3,7

9. Найдём ток I_д:

10. Рассчитаем значения резисторов делителя R₁₃ и R₁₄:

11. Рассчитаем значение конденсатора в цепи эмиттера С₇:

Расчет каскада по переменному току:

При расчете каскада по переменному току определяются следующие параметры:

12. Определим коэффициент усиления в области средних частот:

,

Тогда

13. Входное сопротивление каскада:

14. Выходное сопротивление каскада:

15. Определим напряжения на резисторах R₁₅, R₁₆:

Для обеспечения уровня нелинейных искажений, определяемых техническим заданием, вводим отрицательную обратную связь по напряжению глубиной F=5.

16. Входное сопротивление усилителя с ОС равно значению резистора R₁₁:

17. Определим сопротивление цепи ОС R₁₂:

18. Коэффициент усиления усилителя с ОС:

19. Определим входные параметры каскада:

20. Найдём напряжение на базовых делителях:

21. Определим мощности резисторов:

22. Определим напряжение на конденсаторах:

4.6. Повторитель 1

Нагрузкой для данного повторителя будет являться входное сопротивление последующего усилителя, а за амплитуду выходного напряжения примем входное напряжение того же каскада, т.е.:

1. Вычислим значение тока протекающего через нагрузку:

2. Определим параметры транзистора VT3:

3. Выберем тип транзистора VT3 (n-p-n) соответствующий найденным параметрам:

 

Модель

P, Вт

U(кэ), В

I(k), A

β

f(гр), Mhz

C(к)

VT3

КТ315Б

0,15

20

0,1

50

250

7

4. Определим значение тока базы VT3:

5. Определим падение напряжения на R₁₀:

6. Определим параметры транзистора VT2:

7. Выберем тип транзистора VT2 (n-p-n) соответствующий найденным параметрам:

 

Модель

P, Вт

U(кэ), В

I(k), A

β

f(гр), Mhz

C(к)

VT2

КТ315Б

0,15

20

0,1

50

250

7

8. Определим значение тока базы VT2:

9. Определим значение тока делителя:

Выберем ток базового делителя из условия, что I_д>>I_б. Примем:

10. Найдем значение резистора R₁₀:

11. Найдем значение резистора R₉:

R₉ = (5-10) кОм. Примем R₉ = 10000 Ом, тогда

12. Определим падения напряжений на резисторах базового делителя:

13. Определим значения резисторов базового делителя:

14. Определяем величину R_э~:

15. Определим входное сопротивление транзистора VT2:

16. Определим коэффициент передачи повторителя:

17. Определим входное напряжение повторителя:

18. Вычислим значение входного сопротивления повторителя:

19. Определим величину емкости конденсатора С₄, исходя из условия:

Примем C₄ = 150 мкФ

20. Определим напряжение на конденсаторах:

21. Определим мощности резисторов:

4.7. Усилитель 1

Нагрузкой для данного усилителя будет являться входное сопротивление следующего повторителя, а амплитудой выходного сигнала будет амплитуда входного сигнала повторителя, т.е.:

U_н=0,123В

R_н=188753 Ом

Расчет каскада по постоянному току:

1. Определим ток в нагрузке:

2. Ориентировочно зададим значения I_кmin и U_кэmin, используя соотношения:

3. Определяем I_кmax:

4. Зададимся значением γ_э и вычислим λ:

5. Определим Е_к и R₅, U_C2:

6. Определим I_кнач и U_кнач:

7. Определим допустимую мощность рассеивания на транзисторе:

8. Выберем тип транзистора VT1 (n-p-n) соответствующий найденным параметрам:

 

Модель

P, Вт

U(кэ), В

I(k), A

β

f(гр), Mhz

C(к)

VT1

КТ301Б

0,15

30

0,01

10

20

10

9. Найдём ток I_д:

10. Рассчитаем значения резисторов делителя R₃ и R₄:

11. Рассчитаем значение конденсатора в цепи эмиттера С₂:

Расчет каскада по переменному току:

При расчете каскада по переменному току определяются следующие параметры:

12. Определим коэффициент усиления в области средних частот:

,

Тогда

13. Входное сопротивление каскада:

14. Выходное сопротивление каскада:

15. Определим напряжения на резисторах R₅, R₆:

Для обеспечения уровня нелинейных искажений, определяемых техническим заданием, вводим отрицательную обратную связь по напряжению глубиной F=6.

16. Входное сопротивление усилителя с ОС равно значению резистора R₁:

17. Определим сопротивление цепи ОС R₂:

18. Коэффициент усиления усилителя с ОС:

19. Определим входные параметры каскада:

20. Найдём напряжение на базовых делителях:

21. Определим мощности резисторов:

22. Определим напряжение на конденсаторах:

4.8. Расчёт разделительных конденсаторов

Расчет конденсаторов будем производить на низких частотах.

Распределим равномерно частотные искажения по всем конденсаторам, т.е.:

Расчет ёмкостей производится по следующей формуле:

Определим ёмкости разделительных конденсаторов:

5. АЧХ и ФЧХ усилителя на транзисторе VT4

Коэффициент усиления усилителя:

Фазовый сдвиг усилителя:

АЧХ и ФЧХ данного усилительного каскада имеют вид:

6. Расчет искажений на верхних частотах

1. Повторитель на транзисторах VT10-VT13:

VT12, 13:

VT10, 11:

2. Усилитель на транзисторе VT9:

3. Усилитель на VT4:

4. Усилитель на VT1:

Суммарное значение коэффициента частотных искажений:

7. Расчет стабилитронов

Стабилитроны используются для понижения напряжения питания для отдельных каскадов.

Стабилитрон VD1:

Для подачи питания использован стабилитрон КС515Г со следующими параметрами:

Uст, В

Iст min, mA

Iст ном, mA

Iст max, mA

Pст max, Вт

15,0

3

10

31

0,25

Стабилитрон VD2:

Uст, В

Iст min, mA

Iст ном, mA

Iст max, mA

Pст max, Вт

12,0

0,5

4

13

0,125

Для подачи питания использован стабилитрон КС212Ж со следующими параметрами:

Стабилитрон VD3:

Uст, В

Iст min, мА

Iст ном, mA

Iст max, мА

Pст max, Вт

9,1

3

10

20

0,25

Для подачи питания использован стабилитрон КС191С со следующими параметрами:

8. РАСЧЕТ РАДИАТОРОВ ОХЛАЖДЕНИЯ

В выходном каскаде стоят транзисторы большой мощности, следовательно, необходимо поставить радиаторы для отвода теплоты. Площадь радиатора рассчитывается по следующей формуле:

S=1000 / (R_Tn-c  _T) см²

где  _T - коэффициент теплоизлучения от теплоотвода в окружающую среду,

R_Tn-c=(Tn-Tc)/Pк - тепловое сопротивление переход-среда.

Tc- температура окружающей среды (30С),

Тn- температура p-n -перехода.

Для дюралюминия  _T=1.5 мВт/см²С.

1. Транзисторы VT12, VT13: КТ-817Б

Необходимо рассеять мощность 8.5 Вт. Tn =150С

2. Транзисторы VT10: КТ-815, VT11: КТ-814Б

Необходимо рассеять мощность 2.1 Вт. Tn =125С

9. Технология изготовления печатных плат

Печатная плата представляет собой изоляционное основание с нанесёнными на него элементами печатного монтажа. К элементам печатного монтажа относятся: проводники, контактные площадки, зазоры, отверстия и т.д.

Печатная плата является несущим элементом. На ней размещаются навесные элементы (интегральные схемы и дискретные радиокомпоненты), разъёмы и другие детали. В качестве оснований печатных плат используют обычно листовые фольгированные материалы, которые представляют собой слоистый прессованный пластик (гетинакс или стеклотекстолит), облицованный с одной или двух сторон медной фольгой толщиной 0.035 или 0.05 мм. В радиоэлектронной аппаратуре и приборах в основном применяют фольгированный стеклотекстолит по ГОСТ 10316-62.

Существуют два вида конструкции печатных плат – однослойные и многослойные.

Как правило, однослойные печатные платы выполняются с двухсторонним монтажом – проводники располагаются с двух сторон. Переходы с одной стороны платы на другую осуществляются через металлизированные отверстия в ней.

В основе технологии изготовления двусторонних печатных плат (ДПП) лежит использование фольгированных диэлектриков.

В настоящее время для изготовления ДПП применяется комбинированный метод, который включает в себя два способа: негативный и позитивный.

Технологический процесс получения ДПП комбинированным негативным способом состоит из следующих этапов: получение заготовок и подготовка поверхности фольги, нанесение на плату защитного покрытия (фоторезиста), получение изображения печатных проводников экспонированием и проявлением, удаление незащищенных участков фольги травлением, удаление фоторезиста с проводников, нанесение на основание защитного поврытия, обработка отверстий, подлежащих металлизации, химическая металлизация отверстий, электролитическая металлизация отверстий и печатных проводников, покрытие печатных проводников сплавом олово-свинец, механическая обработка контура платы.

Технологический процесс получения ДПП комбинированным позитивным способом состоит из следующих этапов: получение заготовок и подготовка поверхности фольги, нанесение на плату защитного покрытия (фоторезиста), получение изображения печатных проводников экспонированием и проявлением, нанесение защитной лаковой плёнки, сверление отверстий и их химическое меднение, удаление защитной лаковой плёнки, электролитическое меднение отверстий и проводников, нанесение кислостойких сплавов, удаление фоторезиста, химическое травление фольги с пробельных мест, осветление проводящих покрытий, механическая обработка контура печатной платы.

В том случае, если ДПП не удовлетворяет требованиям, в частности не позволяет разместить большое число навесных элементов из-за малого объёма, применяют многослойные печатные платы (МПП).

Известно несколько способов изготовления МПП, однако все они имеют недостатки: большую стоимость и длительность проектирования, значительные затраты времени на изготовление, на налаживание производства, трудности внесения изменений.

Исходным документом при конструировании печатных плат является принципиальная электрическая схема. Для одной принципиальной схемы можно построить несколько вариантов топологии печатной платы, т.е. печатного монтажа.

10. СПЕЦИФИКАЦИЯ

10.1. Резисторы

Позиционное обозначение

Наименование

Количество

R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, R8, R9, R10, R11, R12, R13, R14, R15, R16, R17, R18, R19, R20, R21, R22, R23, R24, R28, R29,R30, R31, R32, R33, R34, R35, R41, R42, R43

МЛТ-0,125

35

R26, R39

МЛТ-0,25

2

R25, R36, R37, R38, R40

МЛТ-0,5

5

R27

МЛТ-1

1

R44

СП3-13

1

10.2. Конденсаторы

Позиционное обозначение

Наименование

Количество

C3, C8, C11

К53-1

3

C16, C17

К50-12

2

C1, C2, C4, C5, C6, C7, C9, C10, C12, C13, C14, C15, C18, C19

К50-16

14

10.3. Транзисторы

Позиционное обозначение

Наименование

Количество

VT1

КТ301Б

1

VT2, VT3, VT5, VT6, VT7, VT8

КТ315Б

6

VT4

КТ340Б

1

VT11

КТ814Б

1

VT10

КТ815Б

1

VT12, VT13

КТ817Б

2

VT9

КТ961Б

1

10.4. Стабилитроны

Позиционное обозначение

Наименование

Количество

VD1

КС515Г

1

VD2

КС212Ж

1

VD3

КС191С

1

11. КАРТА РЕЖИМОВ

11.1. Резисторы

Позиционное обозначение

Напряжение, В

Ток, А

Мощность, Вт

Номинальное сопротивление, Ом

Тип

R1

0.0179

0.000066

0.000001187

270

МЛТ-0,125

R2

0.0869

0.000054

0.0000047

1600

МЛТ-0,125

R3

13.55

0.0024

0.033

5600

МЛТ-0,125

R4

1.38

0.00203

0.0028

680

МЛТ-0,125

R5

12.13

0.00404

0.049

3000

МЛТ-0,125

R6

0.8

0.00444

0.0036

180

МЛТ-0,125

R7

0.71

0.0000866

0.00006

8200

МЛТ-0,125

R8

11.29

0.0000868

0.00098

130000

МЛТ-0,125

R9

0.0084

0.00000008

0.000000007

10000

МЛТ-0,125

R10

9.88

0.0021

0.021

4700

МЛТ-0,125

R11

0.0842

0.000077

0.00000645

1100

МЛТ-0,125

R12

1.499

0.000062

0.000097

24000

МЛТ-0,125

R13

10.285

0.0000935

0.00096

110000

МЛТ-0,125

R14

1.3

0.000072

0.000094

18000

МЛТ-0,125

R15

6.842

0.00311

0.0213

2200

МЛТ-0,125

R16

0.626

0.00313

0.00196

200

МЛТ-0,125

R17

2.627

0.000164

0.00043

16000

МЛТ-0,125

R18

6.473

0.000155

0.0004

43000

МЛТ-0,125

R19

0.0155

0.0000015

0.000000024

10000

МЛТ-0,125

R20

5.057

0.00389

0.0197

1300

МЛТ-0,125

R21

2.4255

0.000475

0.00115

5100

МЛТ-0,125

R22

6.6745

0.000445

0.00297

15000

МЛТ-0,125

R23

0.0445

0.00000445

0.000000198

10000

МЛТ-0,125

R24

5.23

0.01113

0.0582

470

МЛТ-0,125

R25

30

0.01

0.3

3000

МЛТ-0,5

R26

33

0.006

0.195

5600

МЛТ-0,25

R27

35.9

0.01908

0.716

1800

МЛТ-1

R28

1.32

0.0066

0.0087

200

МЛТ-0,125

R29

10.668

0.0067

0.07113

1600

МЛТ-0,125

R30

1.365

0.0015

0.00205

910

МЛТ-0,125

R31

2.145

0.00165

0.00354

1300

МЛТ-0,125

R32

2.4

0.015

0.036

160

МЛТ-0,125

R33

0.40452

0.02023

0.00818

20

МЛТ-0,125

R34

19.8

0.00165

0.03267

12000

МЛТ-0,125

R35

4.01516

0.02008

0.08061

200

МЛТ-0,125

R36

24.091

0.02008

0.48364

1200

МЛТ-0,5

R37

2.46683

0.13705

0.33807

18

МЛТ-0,5

R38

0.73388

0.40771

0.29921

1,8

МЛТ-0,5

R39

1.91865

0.10659

0.20451

18

МЛТ-0,25

R40

0.7766

0.43144

0.33506

1,8

МЛТ-0,5

R41

0.04

0.0018

0.000073

22

МЛТ-0,125

R42

0.366

0.001525

0.00056

240

МЛТ-0,125

R43

1.782

0.0002376

0.00042

7500

МЛТ-0,125

R44

2.043

0.001857

0.0038

1100

СП3-1

11.2. Конденсаторы

Позиционное обозначение

Ёмкость, мкФ

Расчетное напряжение, В

Тип

Номинальное напряжение, В

C1

220

1,49

К50-16

6.3

C2

150

0,18

К50-16

6.3

C3

0,33

8,41

К53-1

10

C4

150

1,41

К50-16

6.3

C5

47

9,88

К50-16

10

C6

47

3,858

К50-16

6.3

C7

150

0,624

К50-16

6.3

C8

0,33

1,3

К53-1

6.3

C9

100

1,416

К50-16

6.3

C10

47

5,057

К50-16

6.3

C11

0,68

6,63

К53-1

10

C12

100

1,44

К50-16

6.3

C13

330

5,23

К50-16

6.3

C14

330

1,365

К50-16

6.3

C15

47

2,4

К50-16

6.3

C16

3300

3,51

К50-12

6.3

C17

2200

0,40452

К50-12

6.3

C18

220

40,98484

К50-16

50

C19

330

20,0824

К50-16

25

11.3. Транзисторы

Позиционное

обозначение

U_кэ, В

U_бэ, В

I_к, А

I_б, А

P, Вт

Тип

VT1

2.15

0.7

0.004034

0.0004034

0.009

КТ301Б

VT2

1.42

0.7

0.0000422

0.0000008

0.00006

КТ315Б

VT3

2.12

0.7

0.002108

0.0000422

0.0045

КТ315Б

VT4

4.54

0.7

0.031

0.0000312

0.014

КТ340Б

VT5

3.343

0.7

0.000076

0.0000016

0.00026

КТ315Б

VT6

4.043

0.7

0.00388

0.0000776

0.0157

КТ315Б

VT7

3.17

0.7

0.000227

0.0000045

0.00072

КТ315Б

VT8

3.87

0.7

0.1135

0.000227

0.0439

КТ315Б

VT9

20.559

0.7

0.015

0.00015

0.30838

КТ961Б

VT10

20.159

0.7

0.10152

0.005076

2.04646

КТ815Б

VT11

20.159

0.3

0.10152

0.005076

2.04646

КТ814Б

VT12

20.859

0.7

0.38068

0.025379

8.20386

КТ817Б

VT13

20.859

0.7

0.38068

0.025379

8.20386

КТ817Б

11.4. Стабилитроны

Позиционное

обозначение

Расчетный ток, мА

Iст min, мА

Iст max, мА

Uст, В

Pст max, Вт

Тип

VD1

10

3

31

15

0.25

КС515Г

VD2

6

0.5

13

12

0.125

КС212Ж

VD3

19.08

3

20

9.1

0.25

КС191С

12. Список литературы

1. Бочаров Л.Н. и др.

Расчёт электронных устройств на транзисторах/ Бочаров Л.Н., Жебряков С.К., Колесников И.Ф.–М.: Энергия,1978.

2. Верховцев О.Г., Лютов К.П.

Практические советы мастеру-любителю: Электроника. Электротехника. Материалы и их применение.–3-е изд., перераб. и доп.–С.Пб.: Энергоатомиздат. Санкт-Петербург. Отд-ние, 1991.

3. Крамнюк А.И.

Электроника и схемотехника: Учебное пособие. Ч 3-5.–Тюмень: ТюмГНГУ, 2001.

4. Московкин Л.Н., Сорокина Н.Н.

Сборка электромеханических и радиотехнических приборов и систем: Учеб. пособ. пля сред. проф.-техн. училищ. – М.: Высш. шк.,1984.

5. В помощь радиолюбителю: Сборник. Вып. 109/ Сост. И.Н. Алексеева.– М.: Патриот,1991.

6. В помощь радиолюбителю: Сборник. Вып. 110/ Сост. И.Н. Алексеева.– М.: Патриот,1991.

7. Методические указания по курсовому проектированию для студентов дневного и заочного обучения специальности «Автоматика и управление в технических системах» по курсу «Электроника и микросхемотехника» (часть1.Усилители мощности)./Сост. К.т.н., доцент Крамнюк А.И.–Тюмень:ТюмИИ,1988.

8. Методические указания по курсовому проектированию для студентов дневного и заочного обучения специальности «Автоматика и управление в технических системах» по курсу «Электроника и микросхемотехника» (Расчёт предварительных каскадов)./Сост. К.т.н., доцент Крамнюк А.И.–Тюмень: ТюмИИ,1989.

9. Транзисторы/ Чернышев А.А., Иванов В.И., Галахов В.Д. и др.; под общ. ред. А.А. Чернышева. – 2-е изд., перераб. и доп. – М.: Энергия, 1980.